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【C1815】产品参数介绍、C1815数据手册、中英文PDF资料下载
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数据：
C1815_CBI.pdf 
晶体管类型 ：
NPN 集射极击穿电压Vce(Max) ：
50V DC电流增益(hFE)(Min&Range) ：
200 集电极电流 Ic ：
150mA Vce饱和压降 ：
250mV 功率耗散 ：
200mW 跃迁频率 ：
80MHz 工作温度 ：
+150℃ 安装类型 ：
SMT 封装/外壳 ：
SOT-23 集电极-发射极电压 VCEO ：
50V 引脚数 ：
3Pin 高度 ：
1.10mm 长x宽/尺寸 ：
2.90 x 1.65mm 存储温度 ：
-55℃~+150℃ 原产国家 ：
China 零件状态 ：
Active
三极管
C1815由CBI设计生产。C1815封装/规格：晶体管类型/NPN：集射极击穿电压Vce(Max)/50V：DC电流增益(hFE)(Min&Range)/200：集电极电流 Ic/150mA：Vce饱和压降/250mV：功率耗散/200mW：跃迁频率/80MHz：工作温度/+150℃：安装类型/SMT：封装/外壳/SOT-23：集电极-发射极电压 VCEO/50V：引脚数/3Pin：高度/1.10mm：长x宽/尺寸/2.90 x 1.65mm：存储温度/-55℃~+150℃：原产国家/China：零件状态/Active：，三极管。你可以下载C1815中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有通用三极管详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
技术文档
数据手册（1）
C1815_CBI.pdf 
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