测量ATMEGA8单片机IO口的输入输出内阻

在 电子小帮手电路中电源开关电路分析 中介绍测量模块电路实验原理的时候，对于ATmega系列的 单片机的输出端口进行了内部描述 。特别是对于端口做为IO输出口的时候，它可以等效为通过电阻19Ω和22Ω分别上拉到VCC，或者下拉的GND。

那么就会出现一个新的问题，对于ATmega单片机，这个IO口的内阻究竟有多大呢？

通过实验来确定单片机输出IO口的实际电阻阻值，这为将来使用单片机进行测量工作提供数据基础。

利用在 ATMEGA8 DIP-28面包板实验 中可以下载程序的实验方式，对于ATmega8单片机搭建在面包板上的测试芯片。通过实验来测量对应的IO端口在作为输出端时相对于GND，VCC的电阻阻抗。

测量电阻阻抗的方式可以通过以下三种方式来进行：

通过软件编程，使得单片机的PB4,PB3,PB2,PB1分别处于输出高电平，和输出低电平的情况，然后按照上面三种方法来测量对于端口的内部等效阻抗。

使用在 低价电阻箱-阻值测试 中的9999Ω电阻箱，分别改变IO端口的输出负载，记录不同电阻下输出端口的电压，进而可以进行获得内部电阻。

通过线性拟合，可以建立输入电流（i，单位mA）与端口电压 U I O ( I ) U_{IO} \left( I \right) UIO​(I)之间的线性关系。 U I O ( i ) = 0.02615 ⋅ i + 0.0062 U_{IO} \left( i \right) = 0.02615 \cdot i + 0.0062 UIO​(i)=0.02615⋅i+0.0062

通过上述线性方程，可以得到端口的输入电阻为： R s − L O W = 26.15 Ω R_{s - LOW} = 26.15\Omega Rs−LOW​=26.15Ω

测量不同输出电流下输出电压的变化。

对上述电压电流线性拟合：

U Δ − H i g h ( i ) = 0.02354 ⋅ i + 0.00576 U_{\Delta - High} \left( i \right) = 0.02354 \cdot i + 0.00576 UΔ−High​(i)=0.02354⋅i+0.00576

由此可以得到单片机高电平下输出内阻大约为： R H i g h = 23.54 Ω R_{High} = 23.54\Omega RHigh​=23.54Ω

通过实际测量，可以看到ATmega的IO口在输出状态下，内阻分别是26.15Ω（低电平）以及23.56Ω（高电平）。

使用DM3068数字万用表，直接测量ATmega的输出低电平的IO对GND之间的电阻： R L o w = 26.8 Ω R_{Low} = 26.8\Omega RLow​=26.8Ω 测量ATmega8输出高电平的IO对VCC（+5V）之间的直流电阻： R H i g h = 17.64 Ω R_{High} = 17.64\Omega RHigh​=17.64Ω

注意：由于存在输出静态电压，不能够测量输出高电平的IO对GND之间的电阻，或者输出低电平IO对VCC之间的电阻。

为了避免单片机端口的静态电压对于LCR表的测量影响，使用100uF的电解电容进行隔直之后，然后在使用Smart Tweezers进行测量相应端口的内阻。

低电平IO内阻： R L o w = 23.10 Ω R_{Low} = 23.10\Omega RLow​=23.10Ω

高电平IO内阻： R L o w = 23.92 Ω R_{Low} = 23.92\Omega RLow​=23.92Ω

单片机的IO如果作为输出端口，它可以等效一个内部穿有内阻的电压源。由于它内部是通过MOS管完成IO端口与VCC,GND的相连，所以内阻实际上是这些MOS管导通内阻。

通过对ATmega8单片机端口的内阻测量，可以看到这些内阻的大小在20欧姆到30欧姆之间。这与它的数据手册上相关的数值基本上是在同一数量级之内。

上文中使用了三种方法测量单片机IO口的内阻，它们的取值基本相似。因此上，在未来实际上应用中，可以根据具体情况来选择相应的测量方式。

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