电磁炉igbt好坏判断方法（igbt模块测量好坏方法）

导读 IGBT管的好坏可用指针万用表的Rxlk挡来检测，或用数字万用表的“二极管”挡来测量PN结正向压降进行判断。 检测前先将IGBT管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度;然后用指针万用表的两枝表笔正反测G、e两极及G、c两极的电阻，对于...

IGBT管的好坏可用指针万用表的Rxlk挡来检测，或用数字万用表的“二极管”挡来测量PN结正向压降进行判断。

检测前先将IGBT管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度;然后用指针万用表的两枝表笔正反测G、e两极及G、c两极的电阻，对于正常的IGBT管（正常G、C两极与G、c两极间的正反向电阻均为无穷大;内含阻尼二极管的IGBT管正常时，e、C极间均有4kΩ正向电阻），上述所测值均为无穷大;

最后用指针万用表的红笔接c极，黑笔接e极，若所测值在3.5kΩl左右，则所测管为含阻尼二极管的IGBT管，若所测值在50kΩ左右，则所测IGBT管内不含阻尼二极管。对于数字万用表，正常情况下，IGBT管的C、C极间正向压降约为0.5V。

电磁炉IGBT管脚位图

综上所述，内含阻尼二极管的IGBT管检测示意图如图所示，表笔连接除图中所示外，其他连接检测的读数均为无穷大。

如果测得IGBT管三个引脚间电阻均很小，则说明该管已击穿损坏;若测得IGBT管三个引脚间电阻均为无穷大，说明该管已开路损坏。实际维修中IGBT管多为击穿损坏。

IGBT广泛应用于电磁炉，由于它工作于高压压大电流状态，所以损坏率也挺高的。现在就简单的介绍一下IGBT如何检测好坏

工具/原料

万用表

1K电阻

方法/步骤

先了解一下IGBT内部结构，IGBT有三个电极，分别是G，C，E极，G极跟C，E极绝缘，C极跟E极绝缘。常见的IGBT管在C极和E极里面集成了一个阻尼二极管，万用表笔可以测到这个二极管。

常见的IGBT管管脚排列顺序如下图所示，从左到右分别是G，C，E.。有散热片类型的，散热片跟C极是相通的，这种类型在有的电路中需要做绝缘措施

万用表打到二极管档，分别测G极和C极，G极和E极，万用表均显示过量程

C极接红表笔，E极接黑表笔，显示过量程状态

C接黑表笔，E接红表笔，测到里面的二极管，万用表显示二极管的导通值

接下来让IGBT管导通。先找一块9V的电池

红表笔接C极，黑表笔接E极，由于此时没导通显示过量程

按图接好电阻和电池，可以让管导通

注意事项

检测之前最好用摄子短路一下G，E极，否则可能会因为干扰信号而导通

电池不要用太高电压的，否则容易损坏IGBT

电磁炉检修的几个小经验及IGBT注意事项

电磁炉里面的IGBT实在是“娇气”。弄不好几十块钱就没啦！在检修时先去掉加热线圈，。测IGBT的栅级（也就是G点）对地电压。在待机状态下应小于等于0.5V.在开机时应在1~2.5V之间为正常，。前不久修理一个雅乐思电磁炉，G点电压为3，5V，结果加上线圈后，3，4分钟，就爆啦，原因是一个三极管NPN型的击穿，更换后，测G点电压间隔出现1.9V电压，后又接上100W灯泡，也是间隔闪亮，最后通电试机，一切OK

压敏电阻短路从外表就可以看出来，使用市电不稳的地方压敏损坏率大些。

电磁烧igbt原因很多，这里建议修理电磁炉最好可以有台示波器。这样可以方面准确判断故障。

这里提供电磁炉爆igbt几大隐患问题。

一;同步电路异常（在线圈盘两端的有3~5个的300k~680k/2瓦的电阻，接到339的其中的一组的比较器）两端的电压相差应在0.2v之内。待机时电压在3v~5v左右，工作时在1.7v左右。

二;激励电路的脉宽过宽，尖峰，杂波等（脉宽过宽用示波器，在放上锅时，移走锅时示波器波形瞬间的波形变化不能超过0.2mv（示波器上两格）

三;散热不良

四;电路板自身设计存在问题（主要问题：地线不合理，线圈盘电感与电容匹配不良）此类很难解决

五;使用早期仙童fga25n120，fga15n120系列的igbt（igbt的后缀编号an和and）电磁炉，特别用此igbt用大功率的电磁炉上，电路设计稍微匹配不良，就很容易引起igbt过热而烧毁。

六;一般电容坏的比较多，特别是整流滤波电容“5UF/275V~X2（400VDC）”，逆程，谐振电容1200V0.3UF，两者都会威胁功率开关管，好一点的炉对前者会有保护功能，对后者，一般都会烧功率开关，所以碰到烧管的炉，一定先检查该电容有无开路，因为该两个电容经常工作在高温环境里，容易容量变小或开路，漏电

很多的朋友可能碰到过不少电磁炉间断加热的问题，有的是工作一秒钟就停掉了，再工作一秒，或者有的是几秒，就停掉，再工作几秒，如此反复，还有一种问题，跟这种情况差不多，就是正常放锅的时候就总是在检锅状态，而你把锅拿高一点就可以正常加热，这种问题，往往你检查的时候，却查不到什么问题，什么都换了却问题依旧，对付这种故障，经过本人的多次维修案例和研究，发现问题的根源是走线干扰，一般来说，从高压反馈回来的可能有2到4路，其中同步电路就占了两路，还有一路作浪涌监测，还有一路作高压检测，根据机型不同也许路数就不同，问题的根源呢就在这几条线，解决的方法呢，就是把从反馈电阻到339之间这几路的线路断开，要两边都断，然后再用导线连起来就可以了，也就是说中间的这一截线路不要，从反馈电阻的脚到339的脚完全用线连，这样呢这几条线就没有了干扰，电磁炉也就OK了。 这些只是个人的维修经验，有不对的地方请大家批评指正

电磁炉的分类及修理事项

在修理中常见的电磁炉大致分为两类：

由LM339（四电压比较器）输出脉冲信号。

1： 触发部分由正负两组电源，管子用PNPNPN组成，类似这种电路，后级大多是用大功率管多个复合而成，组成高压开关部分，在代换中，前一个用带阻尼的行管替代即可。后几个则很难找到特性一致的管子，解决的办法是在散热器安装孔允许的情况下改用大电流的管子以减少数量，金属封装得如：BUS13A等，塑封的如：BU2525/BU2527/BU2532/D3998一类，用两个就可以。

2：功控管用IGBT绝缘栅开关器件;

这些机器特征是不用双电源触发，只有+5V和+12V，LM339通过触发集成块TA8316带动IGBT

这种情况下只能用此一类的管子代替，损坏程度大致为，只有管子坏，换上即可。其次是整流桥同时损坏，（一般是烧半壁），在其次是触发集成块TA8316坏，连带LM339N一起损坏的很少见。

对于高压模块，由于这方面的参数手册很少，希望大家搜集转贴，以便代换时参考。

不能贸然更换，最好有示波器先测其G极波形及幅值（没有的话用万用表测此点直流电压应在1-2.5伏之间变化）。接上线盘前要确定其它几路小电源供电正常。

2.1.2 IGBT

绝缘栅双极晶体管（Iusulated Gate Bipolar Transistor）简称IGBT，是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。

检修电磁炉时需要注意的几点

一个正常状态的电磁炉表现为;正常启动，风扇转，正常加热，无锅时能保护并报警。但是如果有故障的话表现多种多样了。我这里有个小方法;在维修之前，建议在输入电源上【插头连线部分】串接150W---200W灯泡作限流，目的是防止造成不必要的损坏，同时观察灯泡的发光情况就可以初步判定故障部位。这样比较省时省力，同时避免走弯路。这里需要说明两点：

1，串接灯泡和通电前一定要测量电源插头的正反向阻值，只有在大于400欧姆时才可以试电，否则要开机检查。

2，维修完成后也可用此方法试机，可避免二次维修和故障扩大化。

具体观察结果总结如下;

1，上电灯泡就亮;主回路有短路现象。

2，上电不亮，能启动，但开始加热时灯泡长亮;同步电路或振荡电路有故障。

3，上电正常，放锅加热灯泡不亮，并同时显示故障代码或每隔三秒左右响一声，说明不检锅，故障主要在同步，震荡，推动或PWM脉宽调制电路和浪涌保护电路等，比较复杂。

4，上电正常，放锅加热，灯泡间歇亮，显示故障代码或隔1--3秒响一声，接假负载也如此，同样说明不检锅，但故障部位在电流检测电路或主回路电容。

正常应为，上电正常，不放锅具时灯泡间歇亮，放锅具后常亮，亮度随档位变化。

另外;电磁炉易损件为：桥堆，保险，风扇电机，+5V稳压器【7805】，压敏电阻，大功率电阻，电解电容，电源模块，瓷片和贴片电容。

这里还要说明的是，维修时，拆开机盖后可在加热线盘上垫上三个绝缘垫子加锅试机，可以省去多次拆装上盖的麻烦。

绝缘栅双极型晶体管又叫IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)

IGBT一般用通常用“Q，VT”表示

原理图常用符号

IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件

IGBT优点：GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度

快，但导通压降大，载流密度小。IGBT兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压

降两方面的优点。

那IGBT好坏怎么测量？

更换选型时需要注意那些参数？

IGBT管的一般应用在工作电流都比较大电路中，除了上述参数外，要注意器件本身的散热情况，设计不当时，很容易过热烧毁，这里简单提一下热阻的算方法。

IGBT在电路中的示例接法

在实际应用中，有一个点需要注意的，IGBT管是电压控制型器件，需在IGBT管GE端接一个下拉的大电阻（一般10K以上），防止VCE高压，大电流引起VGE误开启，导致器件烧毁。

IGBT管的测量-如何检测判断IGBT管的好坏

　　igbt管的好坏可用指针万用表的rxlk挡来检测，或用数字万用表的“二极管”挡来测量pn结正向压降进行判断。检测前先将igbt管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度；然后用指针万用表的两枝表笔正反测g、e两极及g、c两极的电阻，对于正常的igbt管（正常g、c两极与g、c两极间的正反向电阻均为无穷大；内含阻尼二极管的igbt管正常时，e、c极间均有4kw正向电阻），上述所测值均为无穷大；最后用指针万用表的红笔接c极，黑笔接e极，若所测值在3.5kwl左右，则所测管为含阻尼二极管的igbt管，若所测值在50kw左右，则所测igbt管内不含阻尼二极管。对于数字万用表，正常情况下，igbt管的c、c极问正向压降约为0.5v。

　　综上所述，内含阻尼二极管的igbt管检测示意图如图所示，表笔连接除图中所示外，

　　其他连接检测的读数均为无穷大。

　　如果测得igbt管三个引脚间电阻均很小，则说明该管已击穿损坏；若测得igbt管三个引脚间电阻均为无穷大，说明该管已开路损坏。实际维修中igbt管多为击穿损坏。为使保护正常输出，不使用的保护必须拉为高电平（对脚1），或是通过电容接地（对脚8）。

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万用表如何判断IGBT的好坏

将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的漏极（D），红表笔接IGBT 的源极（S），此时万用表的指针指在无穷处。用手指同时触及一下栅极（G）和漏极（D），这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下源极（S）和栅极（G），这时IGBT 被阻断，万用表的指针回到无穷处。此时即可判断IGBT 是好的。

注意：若进第二次测量时，应短接一下源极（S）和栅极（G）。

任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。

万用表检测IGBT管的C--E极：

1、红表笔接C极黑表笔接E极（指带有阻尼管的），应该有正向导通电阻值。

2、反向测量C--E不通（无穷大的电阻值）。

3、其它各管脚间应该无穷大（不通）。

4、 IGBT管型号尾部带D的是有阻尼管的。

IGBT管型号尾部不带D的是无阻尼管的。

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如何检测IGBT

判断极性：

将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，将黑表笔固定接在某一电极上，另一表笔（红表笔）分别接其它两只管脚，若阻值均为无穷大，对调用红表笔固定接在这一电极（原黑表笔接的那只管脚）上，另一表笔（黑表笔）分别接其它两只管脚，若阻值均为无穷大，则固定不动的那只表笔接的那只管脚为栅极。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为漏极（D）；黑表笔接的为源极（S）。

判断好坏：

将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的漏极（D），红表笔接IGBT 的源极（S），此时万用表的指针指在无穷处。用手指同时触及一下栅极（G）和漏极（D），这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下源极（S）和栅极（G），这时IGBT 被阻断，万用表的指针回到无穷处。此时即可判断IGBT 是好的。

注意：若进第二次测量时，应短接一下源极（S）和栅极（G）。

任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。

功率场效应管直流参数分选仪

主要用于中小电子产品企业对场效应管或IGBT的批量测量，筛选。

一、简介：

1、采用高精度AD，满足测量精度，而高速微处理器和电子开关，使测量工作迅速、高效、宁静。采用国际先进脉冲测量法，可以提供10A~最大75A以上的测试电流，而不会使被测管子发热。有自动均流功能，确保被测管安全。

　　2、有自检功能、测量判断功能以及故障报警指示功能，当不是Vmos管时或错插等，测量不能继续。在测量前后，测量插座栅源之间是短路状态，以确保被测量管插入或拔出管座时的安全。

　　3、有20A~150A容量选择，即便是选错电流档用最大电流测量小容量管子，也不会损害被测管。

　　4、可设定的有：开启电压Ut、跨导Gfs、通态电阻Ron以及极间电容Cir的下限和上限。对于超限的测量，蜂鸣器会报警，并且哪个参数超限，会闪烁提示，用户可以不大理会符合标准的参数具体数据，只在报警时注意闪烁的参数，这样极大的方便了工业批量测量。

5、操作简单，只按测试按钮，就可以得到4项主要参数。

二、主要指标：

　　1、测量VMOS管可同时显示：

　　　　通态电阻Ron 1~999mΩ (超过999 mΩ时，自动转为9.99Ω挡)

　　　　跨导Gfs 0~99.9S

　　　　开启电压Ut 1~7.5V

　　　　极间电容Cir 0.1~9.9 (np)

　　2、如果您需要，通过辅助功能键，还可以得到：

　　　　a、Cir 1% nP精度；

　　　　b、Ut 1%V 精度；

　　　　c、测量Ron时的： Ids(max A),Vds(min V)；

d、以及测量Ggs时：Ids(A),Vds(V),Vgs(V)；

3、10位LED显示。

　　4、采用工业开关电源，可以在160V~230V 正常工作。

G*�X��A

IGBT有三个电极，分别称为栅极G(也叫控制极或门极)、集电极C(亦称漏极)及发射极E(也称源极)。一、用指针式万用表对场效应管进行判别

（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极

根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。

因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。

若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。（2）用测电阻法判别场效应管的好坏

然后把万用表置于R×10k档，再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。（3）用感应信号输入法估测场效应管的放大能力

具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，给场效应管加上1.5V的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极G，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Ib都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小，说明管的放大能力较差；表针摆动较大，表明管的放大能力大；若表针不动，说明管是坏的。根据上述方法，我们用万用表的R×100档，测结型场效应管3DJ2F。先将管的G极开路，测得漏源电阻RDS为600Ω，用手捏住G极后，表针向左摆动，指示的电阻RDS为12kΩ，表针摆动的幅度较大，说明该管是好的，并有较大的放大能力。运用这种方法时要说明几点：首先，在测试场效应管用手捏住栅极时，万用表针可能向右摆动（电阻值减小），也可能向左摆动（电阻值增加）。这是由于人体感应的交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同（或者工作在饱和区或者在不饱和区）所致，试验表明，多数管的RDS增大，即表针向左摆动；少数管的RDS减小，使表针向右摆动。但无论表针摆动方向如何，只要表针摆动幅度较大，就说明管有较大的放大能力。

第二，此方法对MOS场效应管也适用。但要注意，MOS场效应管的输人电阻高，栅极G允许的感应电压不应过高，所以不要直接用手去捏栅极，必须用于握螺丝刀的绝缘柄，用金属杆去碰触栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极，引起栅极击穿。

第三，每次测量完毕，应当G-S极间短路一下。这是因为G-S结电容上会充有少量电荷，建立起VGS电压，造成再进行测量时表针可能不动，只有将G-S极间电荷短路放掉才行。（4）用测电阻法判别无标志的场效应管

首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚，也就是源极S和漏极D，余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。把先用两表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下来，对调表笔再测量一次，把其测得电阻值记下来，两次测得阻值较大的一次，黑表笔所接的电极为漏极D；红表笔所接的为源极S。

用这种方法判别出来的S、D极，还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证，即放大能力大的黑表笔所接的是D极；红表笔所接地是8极，两种方法检测结果均应一样。当确定了漏极D、源极S的位置后，按D、S的对应位置装人电路，一般G1、G2也会依次对准位置，这就确定了两个栅极G1、G2的位置，从而就确定了D、S、G1、G2管脚的顺序。（5）用测反向电阻值的变化判断跨导的大小

对VMOSN沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D，这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的，管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档，此时表内电压较高。当用手接触栅极G时，会发现管的反向电阻值有明显地变化，其变化越大，说明管的跨导值越高；如果被测管的跨导很小，用此法测时，反向阻值变化不大。二、场效应管的使用注意事项（1）为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。

总之，确保场效应管安全使用，要注意的事项是多种多样，采取的安全措施也是各种各样，广大的专业技术人员，特别是广大的电子爱好者，都要根据自己的实际情况出发，采取切实可行的办法，安全有效地用好场效应管。

三、VMOS场效应管

VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（0.1μA左右），还具有耐压高（最高1200V）、工作电流大（1.5A～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。

正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。VMOS场效应功率管具有极高的输入阻抗及较大的线性放大区等优点，尤其是其具有负的电流温度系数，即在栅-源电压不变的情况下，导通电流会随管温升高而减小，故不存在由于“二次击穿”现象所引起的管子损坏现象。因此，VMOS管的并联得到广泛应用。众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同，从图1上可以看出其两大结构特点:第一，金属栅极采用V型槽结构；第二，具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N+区（源极S）出发，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，最后垂直向下到达漏极D。电流方向如图中箭头所示，因为流通截面积增大，所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。国内生产VMOS场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，典型产品有VN401、VN672、VMPT2等。

下面介绍检测VMOS管的方法。1．判定栅极G

将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。

由图1可见，在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。3．测量漏-源通态电阻RDS（on）

将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。

由于测试条件不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。4．检查跨导

将万用表置于R×1k（或R×100）档，红表笔接S极，黑表笔接D极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。

注意事项：

（1）VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟导管，测量时应交换表笔的位置。（2）有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。（3）目前市场上还有一种VMOS管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国IR公司生产的IRFT001型模块，内部有N沟道、P沟道管各三只，构成三相桥式结构。（4）现在市售VNF系列（N沟道）产品，是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管，其最高工作频率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信号低频跨导gm=2000μS。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。（5）使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例，该管子加装140×140×4（mm）的散热器后，最大功率才能达到30W。（6）多管并联后，由于极间电容和分布电容相应增加，使放大器的高频特性变坏，通过反馈容易引起放大器的高频寄生振荡。为此，并联复合管管子一般不超过4个，而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻。检测绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）好坏的简易方法

1、判断极性

首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G）。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（C）；黑表笔接的为发射极（E）。2、判断好坏

将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的集电极（C），红表笔接IGBT的发射极（E），此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C），这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），这时IGBT被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断IGBT是好的。3、注意事项

任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT导通，而无法判断IGBT的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。变频器、软起动器、PLC、人机界面、低压电器、电气自动化工程、恒压供水设备、音乐喷泉控制系统、变频器维修等。

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