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一、S参数 (参考:http://www.eetop.cn/rf/6944409.html) S参数即散射系数,是建立在入射微波与反射微波关系基础上的网络参数,可用入射波与反射波的比率来计算输入阻抗、频率响应、隔离度等指标,另外矢量网络分析仪(VNA)可以直接测量出S参数。 以双端口网络为例,入射波为ax,反射波为bx,其中x代表端口号,假设待测网络为线性网络,可以采用叠加法。 如果对于单向器件来说,比如放大器(端口1为输入,端口2为输出)则 S11表示输入阻抗 S21表示频率响应 S12表示反向隔离 S22表示输出阻抗 可以将S参数框架扩展到任意数量的端口,有意义的参数数量为2N,其中N表示端口数量,许多集成电路由于震荡和共模抑制能力增强而具有差分输入和输出,需要对S参数框架进行进一步地扩展,以支持差分端口。 对于差分端口,必须区分共模波和差模波,两种模式具有相同的入射振幅,但差模输入波具有180度的相依,而共模入射波具有相同的相位 二、S参数与Z参数、Y参数的关系 (参考1:https://blog.csdn.net/qq_26528669/article/details/95627619; 参考2: https://www.docin.com/p-714657793.html) 分布参数: 当器件尺寸可以和波长比拟时,器件不能被当成一个点来处理,这是,电阻可能具有电感的特性、电容可能具有电阻的特性、电感可能具有电容的特性、传输线可能具有电感的特性等等,这就是分布参数器件。分布参数电路系统需要用偏微分方程来描述,变量有时间和空间位置。 Z参数/Y参数: 多端口网络常用阻抗矩阵【Z】或导纳矩阵【Y】来描述端口特性。 为什么要使用S参数? 上述Z参数或Y参数定义是基于电压电流的概念,所以需要测量在端口开路或短路情况下的电压或电流情况,而在微波频率下,开路/短路情况下不再适合测量电压/电流,原因有二: 1、电压电流很难测量 2、短路开路容易引起网络不稳定 所以,在微波波段,采用“波”的概念,用散射参数S参数来描述一个网络的端口特性 一般情况下,Z参数和Y参数应用于低频线性网络模型中,且这两个模型建立时需要对被观测网络进行开路或短路处理,而在射频情况下很难保证绝对的开路或短路,另外开路或短路处理会引入驻波,可能会使电路振荡或击穿。高频情况下,信号波的功率值测量比较容易。 S参数的获取不需要对模块终端进行开路或短路处理,只需要将端口匹配值Z0。不会引入较大的驻波,不会产生震荡;测量的是入射波和反射波的功率,而不是电压或电流。 S参数建模 由于, 模块的S参数一般需要测量不同频率点出的值; S参数一般为复数; S参数一般用对数形式表示 S参数反射部分的相关关系 S参数传输部分的相关关系 三、SP仿真得到电感/变压器的L/Q/K值 (参考1:http://bbs.eetop.cn/thread-861930-1-1.html 参考2: https://www.newsmth.net/nForum/#!article/Microwave_RFTech/26636?p=1) 参考2中对电感Cadence仿真的电路搭建以及公式选择讨论十分热烈,主要讨论热点是: 对于单端电感、差分电感、PI电感、变压器仿真电路是采用什么测试电路结构,即port和地的连接方式,不同的测试电路会对应不同的表达式。 我认为其中有两个问题需要考虑清楚: 1、port的作用,它相当于对什么的模拟 2、单端口网络与二端口网络的Z参数之间的转换关系 我来按照我的理解稍微总结一下(不对的地方,肯请指正): 在用ADS的Momentum进行仿真的时候,默认使用的是2端口网络,而根据博主totowo的说法,在仿真不同电感时候仿真电路不同(具体可详见👆参考1),这里先假设totowo的分类没有问题,下面讨论一下在ADS的Momentum仿真不同连接形式的电感时,根据该软件平台通过二端口网络得到的Z参数,如何得到Zind,也就是解决上面我所列的第2个问题: 另外目前来看,我比较赞同totowo的port连接方法 四、varactor的C 变容二极管是非线性电容器,并随其两端的幅度(波形)而变化,这就是进行AM-FM转换的原因。 对于振荡频率,重要的是“平均有效”电容,而不是小信号电容。 您可以在变容二极管上以大约谐振频率施加正弦或方波,然后运行PSS,然后运行PAC以获得有效电容。 通常,较大的电压幅度会导致较小的有效电容。 五、ADS Momentum对电感求解 (参考:http://www.edatop.com/mwrf/248939.html) 我对这里的差分电感的计算方式存疑 六、关于Z参数/Y参数对Q的表达式的关系 (参考:http://www.edatop.com/mwrf/248628.html) 看到有人说: ——————————————————————————————————————— 电感仿真1–差分电感: 工艺-tmsc65 电感类型-带中间抽头的平面螺旋差分电感 仿真-sp仿真(port一栏,如果是2个port就分别按照顺序选择) 方法二–Y参数(推荐) Zind=1/ypm('sp 1 1)1、2port+接地
电感仿真2–单端电感: 1、2port+接地 针对Z参数在有些情况下仿真出问题的思考(以上面对单端电感的仿真为例): 1、2port+接地 —————————————————————————————————————————————— 电容仿真: 工艺tsmc65 电容mom_rf 计算表达式- 方法一–Z参数(适用于1port,在2port的情况下输出不了值) Zcap=zpm('sp 1 1) Q_Z=imag(Zind)/real(Zind) L_Z=imag(Zind)/(real(Zind)*real(Zind)+imag(Zind)*imag(Zind))/(2*pi*xval(Zind)) Rs_Z=real(Zind) Rp_Z=Rs_Z*(1+Q_Z*Q_Z)方法二–Y参数(推荐) Zind=1/ypm('sp 1 1)1、2port+接地 2021年9月2日更新 tsmc65工艺中的带中间抽头的对称螺旋电感的仿真(spiral_sym_mu_z) 通过find功能找到一个符合要求的电感,性能如下 |
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