实现更优化，才能更优秀！第二章

随着晶体管越来越小，这种 DTCO 活动的重要性也日益凸显。这是因为，对于小而灵敏的晶体管而言，很小的变化也会产生较大的影响。于是，DTCO 在 MBCFET 中的地位也越来越重要。那么，现在就让我们来正式了解一下 MBCFET 所具备的 DTCO 优势。

A. 变化导致的性能损耗。 以前，当沟道加宽或工作电压降低时，原有晶体管的部分性能不得不随之下降。如前文所说，因为他们之间是呈反比的。而在 MBCFET 中，减少了这种性能下降的幅度并加宽了 DTCO 活动区域。

i. 将沟道加宽导致的性能损耗降到更低 在加宽沟道提高性能时，会出现意外的性能损耗。也就是说，加宽沟道并不能带来与之相应的性能提升结果，即实际结果无法达到理论预期。这是器件之间产生的性能干扰因素（Resistance 和 Capacitance 等）导致的。简单来说，这是结构变化导致的必然现象。这种现象的严重程度取决于结构，如果结构有差异，性能损耗量也会有所不同。由于 FinFET 和 MBCFET 在结构上存在很大差异，其损耗量也有所不同。如前所述，FinFET 必须额外制作一个 Fin 才能增加沟道宽度，与 MBCFET 相比，该操作所带来的结构性变化更大。如图[8]所示，与加宽水道相比，多开凿一个水道会产生不必要的结构（黄色区域），即使他们总宽度相同。FinFET 就是因为这种结构变化而导致更多的性能损耗。而 MBCFET 则在不额外添加 Fin 等结构的情况下调节宽度，打破了这一限制。