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Hall,AMR,GMR,TMR技术比较
发布日期:2012年01月07日
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四代磁性传感技术: ·第一代:Hall Effect Sensor——霍尔效应传感器 ·第二代:AMR (Anisotropic Magneto Resistance) Sensor——各向异性磁电阻传感器 ·第三代:GMR (Giant Magneto Resistance) Sensor——巨磁电阻传感器 ·第四代:TMR (Tunneling Magneto Resistance) Sensor——隧道磁电阻传感器 Hall工作原理 ·电子在磁场中受洛仑兹力作用下偏转,在磁场方向上形成附加的横向电场,即霍尔电场 ·纵向磁场感应 AMR工作原理 ·单磁层器件 · 平行磁场感应 ·1~3% △R/R ·工作在45°偏角 ·电流在薄膜平面流动 ·工作场范围窄 GMR工作原理 ·电阻取决于在薄膜界面中自旋电子的散射 ·大部分电子不能形成散射 ·室温条件下,GMR的最大电阻变化率(△R/R) |
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