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Hall,AMR,GMR,TMR技术比较

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Hall,AMR,GMR,TMR技术比较 发布日期:2012年01月07日    浏览次数:40054

四代磁性传感技术:

·第一代:Hall Effect Sensor——霍尔效应传感器

·第二代:AMR (Anisotropic Magneto Resistance) Sensor——各向异性磁电阻传感器

·第三代:GMR (Giant Magneto Resistance) Sensor——巨磁电阻传感器

·第四代:TMR (Tunneling Magneto Resistance) Sensor——隧道磁电阻传感器

Hall工作原理

·电子在磁场中受洛仑兹力作用下偏转,在磁场方向上形成附加的横向电场,即霍尔电场

·纵向磁场感应

AMR工作原理

·单磁层器件

· 平行磁场感应

·1~3% △R/R

·工作在45°偏角

·电流在薄膜平面流动

·工作场范围窄

GMR工作原理

·电阻取决于在薄膜界面中自旋电子的散射

·大部分电子不能形成散射

·室温条件下,GMR的最大电阻变化率(△R/R)



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