ASEMI肖特基二极管SBT30100VDC的特点有哪些

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SBT30100VDC肖特基二极管：是一种低功耗、超高速的半导体器件。这种器件是由多数载流子传导的，所以它的反向饱和电流比由少数载流子传导的PN结大得多。SBT30100VDC最显着的特点是反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向压降仅为0.4V左右。SBT30100VDC多见于通信电源、变频器等，因此是高频、快速开关的理想器件。

SBT30100VDC参数描述

型号：SBT30100VDC

封装：TO-263

特性：低压降肖特基二极管

电性参数：30A，100V

芯片材质：金属硅芯片

正向电流(Io)：30A

芯片个数：2

正向电压(VF)：0.52V

芯片尺寸：94MIL

浪涌电流Ifsm：250A

漏电流(Ir)：8uA

工作温度：-65~+150℃

恢复时间(Trr)：