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12N65场效应管参数|12N65(TO220)规格书资料|壹芯微 产品类型 场效应管 产品型号 12N65 极性 NPN 漏源电压 650V 漏极电流 12A 封装 TO-220,TO-220F,TO-220F1,TO-220F2,TO-262,TO-263,TO-3P,TO-3PN 12N65场效应管常用封装有:TO-220,TO-252 12N65(多封装)规格书 查看下载 参数资料: 12N65绝对最大额定参数: 漏源电压(VDS) 650(V) 栅源电压(VGS) ±30(V) 雪崩电流(IAR) 12(A) 漏极电流-连续(ID) 12(A) 漏极电流-脉冲(IDM) 48(A) 单脉冲雪崩能量(EAS) 790(mJ) 重复雪崩能量(EAR) 24(mJ) 二极管恢复峰值(dv/dt) 4.5(V/ns) 功耗(TO-220/TO-262/TO-263)(PD) 225(W) 功耗(TO-220F/TO-220F1)(PD) 51(W) 功耗(TO-220F2)(PD) 54(W) 功耗(TO-3P/TO-3PN)(PD) 260(W) 工作与贮存温度范围(TJ,TSTG) -55~+150(°С) 热阻-结到环境 (TO-220/TO-220F/TO-220F1/TO-220F2/TO-262/TO-263)(RθJA) 62.5(°C/W) (TO-3P/TO-3PN)(RθJA) 40(°C/W) 热阻-结到外壳 (TO-220/TO-262/TO-263)(RθJC) 0.56(°C/W) (TO-220F/TO-220F1)(RθJC) 2.43(°C/W) (TO-220F2)(RθJC) 2.31(°C/W) (TO-3P/TO-3PN)(RθJC) 0.48(°C/W) 焊接的最高引线温度(TL) *(°С) 12N65各种封装外形尺寸:. 壹芯微科技专业生产"二极管,三极管,场效应管,桥堆",20年丰富的生产经验,品质优秀,完美替代,专业生产管理团队与工程师严格管控品质,超过4800家电路电器生产企业选用合作,价格低于同行(20%),更具性价比,提供技术支持,售后FEA,如需了解产品详情,最新报价以及样品申请,欢迎咨询官网在线客服! 手机号/微信:13534146615 QQ:2881579535 |
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