h20r1203功率管参数

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H20R1353可以用H20R1203代换，H20R1203参数:1200V20A1.48Ⅴ；H20R1353参数:1350Ⅴ20A1.6Ⅴ。

IGBT是电磁炉常常容易损坏的元器件之一，由于 IGBT 管工作在高电压62616964757a686964616fe58685e5aeb931333431366432、大电流、温度高状态，一般不超过2000W的电磁炉在相同的条件选择20A~30A的IGBT即可。

很多的IGBT内部里面都有阻尼二极管，但是也不保证有些管没有，因此在代换时候需要特别注意是否含有阻尼二极管，含阻尼二极管的IGBT管可代换不含阻尼二极管的IGBT管，但是反过来就不行，如果实在要用，那么在外部电路加一个快恢复二极管。

扩展资料：

使用注意事项

由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：

在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸； 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块； 尽量在底板良好接地的情况下操作。

在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。