毕赤酵母适宜的生长温度是28至30℃，温度超过32度对蛋白的表达是有害的，并可能导致细胞的死亡。GS115毕赤酵母是是组氨酸缺陷型（His4基因型），如果表达载体上携带有组氨酸基因，可补偿宿主菌的组氨酸缺陷，因此可以在不含组氨酸的培养基上筛选转化子。这些受体菌自发突变为组氨酸野生型的概率一般低于108。GS115毕赤酵母可以在YPD培养基(BTN130895)中生长，或者在补充有组氨酸的minimal media中生长，但是无法在单独的minimal media培养基中生长。

本菌株的基因型为His4，表型是Mut+。

使用方法：质粒转化毕赤酵母GS115的菌株的方法有很多，如电转化、化学转化等。根据实验方法的不同，用的试剂和培养基有所不同。本手册提供一个电转化方法。

1．挑取酵母单菌落，接种至含有5mLYPD培养基的50 mL三角瓶中，30℃，250-300 r/min培养过夜；2．取100-500 μL（≤1:100）的培养物接种至含有50 mL新鲜培养基的200 mL三角摇瓶中，28~30℃，250-300 r/min培养过夜(约20小时)，至OD600达到1.3~1.5；3．将细胞培养物于4℃，1500g离心5分钟，用50 mL的冰预冷的无菌水将菌体沉淀重悬；4．按步骤3离心，用25 mL的冰预冷的无菌水将菌体沉淀重悬；5．按步骤3离心，用2-5 mL，1M的冰预冷的山梨醇溶液将菌体沉淀重悬；6．按步骤3离心，用160 μL的冰预冷的1M的山梨醇溶液将菌体沉淀重悬，其终体积约为240μL；7．将5~20 μg的线性化DNA溶解在5~10 μL TE溶液中，与80 μL的上述步骤6所得的菌体混匀，转至0.2cm冰预冷的电转化杯中；8．将电转化杯冰浴5分钟；9．根据电转化仪提供的资料，参考其他文献及多次摸索，确定合适的电压、电流、电容等参数，按优化的参数，进行电击（推荐：电压1.5 kV；电容25 μF；电阻200 Ω；电击时间为4～10 msec）。10．电击完毕后，马上加入1 mL 1M的冰预冷的山梨醇溶液将菌体混匀，转至1.5 mL的EP管中，置于30℃摇床低速培养1小时；11．将菌体悬液涂布于MD平板上，每200~600 μL涂布一块平板；12．将平板置于30℃倒置培养，直至单个菌落出现（3-4天）。

保存条件：-80℃相关搜索：毕赤酵母GS115菌种，毕赤酵母GS115菌株，Pichia pastoris Strain GS115