一文解释清楚 耗尽型和增强型MOSFET N/PMOS结构及其工作原理和测试连接方法 、BJT（三极管）、IGBT之间的关系和应用

MOS管导通电阻在mΩ级别； MOS管不是电压控制所以功耗低，是因为只需要加一下压，DS通道打开就一直开通； BJT不同，需要一直有Ib电流。

MOSFET：Metal Oxide Field Effect Transistor BJT 和 MOSFET 通常被用做 放大器和电路开关;

bipolar junction transistor BJT 双极型结型晶体管， BJT功能：可以控制流过负载的电流大小，NPN型，线性放大区（集电结反偏，发电结正偏），增大Ib，可以使Ic增大；可以控制电路的开断，截至区（Vbe < 0.7V, 发射结反偏 ）饱和区（集电结正偏，Vbc > 0.7V ） 在模拟电路中 在线性区 做信号处理电流放大，饱和区和截至区 作为开关控制。

发射区： N型高掺杂，以便发射结正偏，从发射区注入基区的电子在基区形成相当高的电子浓度梯度。 基区： 掺杂P型，很薄，发射区向基区 注射的少部分电子和空穴形成基极电流，所以需要基极向基区输送正电荷和电子结合，产生电流。 集电区： 较低浓度 但面积很大的N型掺杂， 以便基区高浓度的电子扩散进集电区形成集电极电流。

给三极管发射结E 加上正向偏置电压，因为PN结（发射结）的输入曲线是指数关系，即当输入电压超过二极管的门限电压后，输入电压增加很少，输入电流就会急剧增加。 三极管基区 空穴主要由基极提供，所以双极性晶体管也叫电流型控制器件。 MOSFET 是电压控制输出电流，所以称为电压型控制器件

Ie=Ib+Ic 这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系 Ib*β1=Ic 式中：β1–称为直流放大倍数

Rc 是对集电极电流起到限流作用（限制Ic大小）

截至区（cut-off-region）；线性放大区（active region）；饱和区（saturation region）

当输入电压小于门限三极管的门限电压时，Vbe