1.一种高线性度的射频功率放大器，其特征在于：包括匹配网络、偏置电路、功率放大模块和线性度改善网络，所述匹配网络和所述偏置电路均分别连接在所述功率放大模块的输入端口上，所述匹配网络和所述偏置电路之间连接有所述线性度改善网络。2.根据权利要求1所述的一种高线性度的射频功率放大器，其特征在于：所述功率放大模块包括至少一级功率放大管，每一级所述功率放大管的输入端口上均分别连接有一个所述偏置电路；所述匹配网络包括输入匹配网络，还可以包括级间匹配网络，所述输入匹配网络连接在第一级所述功率放大管的输入端口上，每相邻两级所述功率放大管之间均分别连接有一个所述级间匹配网络；与第一级所述功率放大管的输入端口相连的所述输入匹配网络和偏置电路之间连接有一个或多个所述线性度改善网络，和/或与中间级所述功率放大管的输入端口相连的所述级间匹配网络和偏置电路之间连接有一个或多个所述线性度改善网络，和/或与末级所述功率放大管的输入端口相连的所述级间匹配网络和偏置电路之间连接有一个或多个所述线性度改善网络。3.根据权利要求2所述的一种高线性度的射频功率放大器，其特征在于：所述输入匹配网络或级间匹配网络通过隔直流/匹配电容C2连接在所述功率放大管的输入端口上，所述偏置电路通过压舱电阻R2连接在所述功率放大管的输入端口上；所述偏置电路包括电阻R1、二极管D1和D2、偏置晶体管S1和bypass电容C1，所述电阻R1的一端连接Vreg，另一端连接所述二极管D1的P极，所述二极管D1的N极连接所述二极管D2的P极，所述二极管D2的N极接地，所述偏置晶体管S1的基极/栅极连接在所述二极管D1的P极上，所述偏置晶体管S1的发射极/源极通过压舱电阻R2连接在所述功率放大管的输入端口上，所述偏置晶体管S1的集电极/漏极连接Vbat。4.根据权利要求3所述的一种高线性度的射频功率放大器，其特征在于：所述线性度改善网络的一端连接在所述输入匹配网络或级间匹配网络的输出端口上，所述线性度改善网络的另一端连接在对应的所述偏置电路的所述偏置晶体管S1的基极/栅极或者发射极/源极上。5.根据权利要求4所述的一种高线性度的射频功率放大器，其特征在于：所述线性度改善网络为可重构的网络，包括多个可重构电容、多个可重构二极管、一个可重构电阻和一个可重构电感；多个可重构电容和多个可重构二极管并联；多个可重构电容和多个可重构二极管并联后的一端通过射频开关Ka连接在所述输入匹配网络或级间匹配网络的输出端口上；多个可重构电容和多个可重构二极管并联后的一端还通过所述可重构电阻连接在所述输入匹配网络或级间匹配网络的输出端口上；多个可重构电容和多个可重构二极管并联后的一端还通过所述可重构电感连接在所述输入匹配网络或级间匹配网络的输出端口上；多个可重构电容和多个可重构二极管并联后的另一端通过射频开关Kb连接在对应的所述偏置电路的所述偏置晶体管S1的基极/栅极上；多个可重构电容和多个可重构二极管并联后的另一端还通过射频开关Kc连接在对应的所述偏置电路的所述偏置晶体管S1的发射极/源极上；所述可重构电容由电容Cki和射频开关Kci串联构成，所述可重构二极管由二极管Dki和射频开关Kdi串联构成，所述可重构电阻由电阻R和射频开关Kr串联构成，所述可重构电感由电感L和射频开关Kl串联构成，其中i＝1,2,3,......n。6.根据权利要求5所述的一种高线性度的射频功率放大器，其特征在于：还包括逻辑及偏置控制器，所述逻辑及偏置控制器与所述射频开关Ka、Kb、Kc、Kci、Kdi、Kr和Kl相连；所述逻辑及偏置控制器还与每一个所述偏置电路相连。7.根据权利要求2至6任一项所述的一种高线性度的射频功率放大器，其特征在于：所述匹配网络还包括输出匹配网络，所述输出匹配网络连接在所述功率放大模块中的末级所述功率放大管的输出端口上。8.根据权利要求7所述的一种高线性度的射频功率放大器，其特征在于：还包含有输入射频开关和输出射频开关，所述输入射频开关连接在所述输入匹配网络的输入端口上，所述输出射频开关连接在所述输出匹配网络的输出端口上，所述输入射频开关和输出射频开关均分别与所述逻辑及偏置控制器相连。9.根据权利要求1至6任一项所述的一种高线性度的射频功率放大器，其特征在于：所述功率放大管包括一个或多个功率放大单元。10.一种高线性度的射频通信终端，其特征在于：包括权利要求1至9任一项所述的一种高线性度的射频功率放大器，还包括滤波器和/或双工器，所述滤波器和/或双工器连接在所述的一种高线性度的射频功率放大器的功率放大模块与天线之间。