电容基础知识(三) |
您所在的位置:网站首页 › 瓷片电容的种类与型号 › 电容基础知识(三) |
电容作为一个储能元件,可以储存能量。电容的这一特性,使得电容在电路中的应用非常广泛。因此,本篇文章汇总了电容的常见应用,以及针对不同介质类型的电容做一下选型要点分析。 一、电容的应用电容的应用主要分为以下几个方面: 储能定时谐振源电源去耦耦合隔直旁路滤波 1.1 电容的储能应用储存能量就可以当电源,例如超级电容。 存储数据,应用非常广。动态易失性存储器(DRAM)就是利用集成的电容阵列存储数据,电容充满电就是 1,放完电就是 0。各种手机、电脑、服务器中内存的使用量非常大,因此,内存行业都可以作为信息产业的风向标了。 1.2 电容的定时定时:电容充放电需要时间,可以用做定时器;还可以做延时电路,最常见的就是上电延时复位;一些定时芯片如 NE556,可以产生三角波。 如下图所示是一个电容延时点灯的实验,电路如下: ![]() 其核心是一个比较器,供电电源是 9V,9V 的 63.2%是 5.7V,5.7V(电路里是 5.59V)作为运放的反相输入,电容作为运放的正相输入。电容和电阻组成充电回路,电阻是 10Ω,电容是 1F(我选了一个超级电容),意味着充电常数是 10 秒。上电的 10 秒后,电容电压应该达到和超过 5.7V,点亮 LED。我们来看一下仿真波形: ![]() 绿色波形表示电容上电压变化,紫色波形表示 LED 上电压变化。可以看到大约经过 10 秒钟后,LED 点亮。 1.3 谐振源与电感一起组成 LC 谐振电路,产生固定频率的信号。 1.4 电源去耦电源去耦应该是电容最广泛的应用,各种 CPU、SOC、ASIC 的周围、背面放置了大量的电容,目的就是保持供电电压的稳定。 首先,在 DCDC 电路中,需要选择合适的输入电容和输出电容来降低电压纹波。需要计算出相关参数。 ![]() 此外,像 IC 工作时,不同时刻需要的工作电流是不一样的,因此,也需要大量的去耦电容,来保证工作电压得稳定。 1.5 耦合隔直设计电路时,有些情况下,只希望传递交流信号,不希望传递直流信号,这时候可以使用串联电容来耦合信号。 例如多级放大器,为了防止直流偏置相互影响,静态工作点计算复杂,通常级间使用电容耦合,这样每一级静态工作点可以独立分析。 例如 PCIE、SATA 这样的高速串行信号,通常也使用电容进行交流耦合。 1.6 旁路滤波旁路,顾名思义就是将不需要的交流信号导入大地。滤波其实也是一个意思。在微波射频电路中,各种滤波器的设计都需要使用电容。此外,像 EMC 设计,对于接口处的 LED 灯,都会在信号线上加一颗滤波电容,这样可以提高 ESD 测试时的可靠性。 二、不同介质类型的电容的选型 2.1 铝电解电容 2.1.1 铝电解电容(湿式)铝电解电容(湿式)无论是插件还是贴片封装,高度都比较高,而且 ESR 都较高,不适合于放置于 IC 附近做电源去耦,通常都是用于电源电路的输入和输出电容。 ![]() 容值 从规格书中获取电容值容差,通常铝电解电容的容差都是±20%。计算最大容值和最小容值时,各项参数要满足设计要求。 额定电压 铝电解电容通常只适用于直流场合,设计工作电压至少要低于额定电压的 80%。对于有浪涌防护的电路,其额定浪涌电压要高于防护器件(通常是 TVS)的残压。 例如,对于一些 POE 供电的设备,根据 802.3at 标准,工作电压最高可达 57V,那么选择的 TVS 钳位电压有 90 多 V,那么至少选择额定电压 100V 的铝电解电容。此时,也只有铝电解电容能同时满足大容量的要求。 ![]() 耗散因数 设计 DCDC 电路时,输出电容的 ESR 影响输出电压纹波,因此需要知道铝电解电容的 ESR,但大多数铝电解电容的规格书只给出了耗散因数 tanδ。可以根据以下公式来计算 ESR: ESR = tanδ/(2πfC) 例如,120Hz 时,tanδ为 16%,而 C 为 220uF,则 ESR 约为 965mΩ。可见铝电解电容的 ESR 非常大,这会导致输出电压纹波很大。因此,使用铝电解电容时,需要配合使用片状陶瓷电容,靠近 DCDC 芯片放置。 随着开关频率和温度的升高,ESR 会下降。 额定纹波电流 电容的纹波电流,要满足 DCDC 设计的输入和输出电容的 RMS 电流的需求。铝电解电容的额定纹波电流需要根据开关频率来修正。 ![]() 寿命 铝电解电容的寿命比较短,选型需要注意。而寿命是和工作温度直接相关的,规格书通常给出产品最高温度时的寿命,例如 105℃时,寿命为 2000 小时。 根据经验规律,工作温度每下降 10℃,寿命乘以 2。如果产品的设计使用寿命为 3 年,也就是 26280 小时。则 10*log2(26280/2000)=37.3℃,那么设计工作温度不能超过 65℃。 2.1.2 聚合物铝电解电容像 Intel 的 CPU 这样的大功耗器件,一颗芯片 80 多瓦的功耗,核电流几十到上百安,同时主频很高,高频成分多。这时对去耦电容的要求就很高: 电容值要大,满足大电流要求;额定 RMS 电流要大,满足大电流要求;ESR 要小,满足高频去耦要求;容值稳定性要好;表面帖装,高度不能太高,因为通常放置在 CPU 背面的 BOTTOM 层,以达到最好的去耦效果。这时,选择聚合物铝电解电容最为合适。此外,对于音频电路,通常需要用到耦合、去耦电容,由于音频的频率很低,所以需要用大电容,此时聚合物铝电解电容也很合适。 2.2 钽电容根据前文相关资料的来源,可以发现,钽电容的主要厂商就是Kemet、AVX、Vishay。 钽属于比较稀有的金属,因此,钽电容会比其他类型的电容要贵一点。但是性能要比铝电解电容要好,ESR 更小,损耗更小,去耦效果更好,漏电流小。下图是 Kemet 一款固态钽电容的参数表: ![]() 额定电压 固态钽电容的工作电压需要降额设计。正常情况工作电压要低于额定电压的 50%;高温环境或负载阻抗较低时,工作电压要低于额定电压的 30%。具体降额要求应严格按照规格书要求。 此外,还需要注意钽电容的承受反向电压的情况,交流成分过大,可能会导致钽电容承受反向电压,导致钽电容失效。 固态钽电容的主要失效模式是短路失效,会直接导致电路无法工作,甚至起火等风险。因此,需要额外注意可靠性设计,降低失效率。 对于一旦失效,就会造成重大事故的产品,建议不要使用固态钽电容。 额定纹波电流 纹波电流流过钽电容,由于 ESR 存在会导致钽电容温升,加上环境温度,不要超过钽电容的额定温度以及相关降额设计。 2.3 片状多层陶瓷电容片状多层陶瓷电容应该是出货量最大的电容,制造商也比较多,像三大日系 TDK、muRata、Taiyo Yuden,美系像 KEMET、AVX(已经被日本京瓷收购了)。 三大日系做的比较好的就是有相应的选型软件,有电感、电容等所有系列的产品及相关参数曲线,非常全,不得不再次推荐一下: SEAT 2013 – TDKSimsurfing – MurataTaiyo Yuden Components Selection Guide & Data Library 2.3.1 Class I 电容Class I 电容应用最多的是 C0G 电容,性能稳定,适用于谐振、匹配、滤波等高频电路。 C0G 电容的容值十分稳定,基本不随外界条件(频率除外)变化,下图是 Murata 一款 1000pF 电容的直流、交流及温度特性。 ![]() 因此,通常只需要关注 C0G 电容的频率特性。下图是 Murata 的 3 款相同封装(0402inch)相同容差(5%)的 10pF 电容的频率特性对比。 ![]() 其中 GRM 是普通系列,GJM 是高 Q 值系列、GQM 是高频系列,可见 GQM 系列高频性能更好,自谐振频率和 Q 值更高,一些高频性能要求很高的场合,可以选用容差 1%的产品。而 GRM 系列比较便宜,更加通用,例如 EMC 滤波。 2.3.2 Class II 和 Class III 电容Class II 和 Class III 电容都是高介电常数介质,性能不稳定,容值变化范围大,通常用作电源去耦或者信号旁路。 以 Murata 一款 22uF、6.3V、X5R 电容为例,相关特性曲线: ![]() 容值 Class II 和 Class III 电容,容值随温度、DC 偏置以及 AC 偏置变化范围较大。特别是用作电源去耦时,电容都有一定的直流偏置,电容量比标称值小很多,所以要注意实际容值是否满足设计要求。 纹波电流 作为 DCDC 的输入和输出电容,都会有一定的纹波电流,由于 ESR 的存在会导致一定的温升。加上环境温度,不能超过电容的额定温度,例如 X5R 电容最高额度温度是 85℃。 通常由于多层陶瓷电容 ESR 较小,能承受的纹波电流较大。 自谐振频率 电容由于 ESL 的存在,都有一个自谐振频率。大容量的电容,自谐振频率较低,只有 1-2MHz。所以,为了提高电源的高频效应,大量小容值的去耦电容是必须的。此外,对于开关频率很高的 DCDC 芯片,要注意输入输出电容的自谐振频率。 ESR 设计 DCDC 电路,需要知道输出电容的 ESR,来计算输出电压纹波。多层陶瓷电容的 ESR 通常较低,大约几到几十毫欧。 2.4 安规电容对于我们家用的电子设备,最终都是 220V 交流市电供电。电源适配器为了减少对电网的干扰,通过相关 EMC 测试,都会加各种滤波电容。下图为一个简易的电路示意图: ![]() 对于 L 和 N 之间的电容叫 X 电容,L、N 与 PE 或 GND 之间的电容叫 Y 电容。由于 220V 交流电具有危险性,会威胁人的人身安全,电子产品都需要满足相关安规标准,例如 GB4943 和 UL60950 的相关测试要求。因此,X 电容和 Y 电容与这些测试直接相关,所以也叫安规电容。 以抗电强度测试为例,根据标准,L、N 侧为一次电路,需要与 PE 或 GND 之间为基本绝缘。因此,需要在 L 或 N 对 GND 之间加交流 1.5kV 或者直流 2.12kV 的耐压测试,持续近 1 分钟,期间相关漏电流不能超过标准规定值。因此,安规电容,有相当高的耐压要求,同时直流漏电流不能太大。 此外,常用的 RJ45 网口,为了减小 EMI,常用到 Bob-Smith 电路,如下图所示: ![]() 可以看到电容的耐压都是 2kV 以上,因为网口通常有变压器,220V 交流电的 L 和 N 到网线有两个变压器隔离,是双重绝缘,L 和 N 到网线之间也要进行抗电强度测试。双重绝缘,通常要求通过交流 3kV 或直流 4.24kV 测试。 因为,安规电容有高耐压要求,通常使用瓷片电容或者小型薄膜电容。 此外,器件选型还要主要两点要求:和结构确认器件的长宽高;对插件封装器件不多时,是不是可以全部使用表贴器件,这样可以省掉波峰焊的工序。 三、结语本文简要介绍了电容的应用领域,以及大致介绍了几类电容的应用选型。 扫码关注尚为网微信公众号![]() 原创文章,作者:sunev,如若转载,请注明出处:https://www.sunev.cn/hardware/1037.html |
今日新闻 |
点击排行 |
|
推荐新闻 |
图片新闻 |
|
专题文章 |
CopyRight 2018-2019 实验室设备网 版权所有 win10的实时保护怎么永久关闭 |