又过了65年，氮化镓首次被人工合成。直到20世纪60年代，制造氮化镓单晶薄膜的技术才得以出现。作为一种化合物，氮化镓的熔点超过1600℃，比硅高200℃。

1972年，基于氮化镓材质的 LED 发光二极管才被发明出来（使用掺有镁的氮化镓），。这是里程碑式的历史事件。虽然最初的氮化镓 LED ，它的亮度还不足以商用，但这是人类第一次制备出能够发出蓝紫色光的LED。1991年，一种生产更高亮度的蓝色LED的方法获得了专利，两年后，高亮度的蓝色 LED 就诞生了了。

高亮度的蓝色LED商用，是电子行业的一个转折点。通过添加荧光粉涂层，人类实现了有可能创造出能够替代低效白炽灯的白色LED。添加红色和绿色的LED，就可以组成一款基于 LED 的显示器。从第一台LED背光液晶电视到最新的OLED屏幕，这加速了阴极射线管（CRT）电视和显示器市场的更替，以及基于硅的 “偏转晶体管 “屏幕产品的消亡。

因此，氮化镓是我们在电视、手机、平板电脑、笔记本电脑和显示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技术。在光子学方面，氮化镓还被用于蓝光激光技术（最明显的是用于蓝光播放器的光盘激光头）。

在光子学之外，虽然氮化镓晶体管在1993年就发布了相关技术，但直到2004年左右，第一个氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）才开始商用。这些晶体管通常用于需要高效能、高电压的射频基础设施。几年后，即2008年，氮化镓金属氧化物半导场效晶体（MOSFET）（在硅衬底上形成）得到推广，但由于电路复杂和缺乏高频生态系统组件，使用率较低。

纳微半导体成立于2014年，使命是在广泛的应用领域充分发挥氮化镓功率芯片具备的宽禁带器件的优势，传递宽禁带技术应用的广阔可能性，实现电力电子领域的速度革命。2018年，纳微半导体入选 EETimes 著名的 “Silicon 60 “创业公司榜单名单，2019年，Frost and Sullivan弗若斯特沙利文咨询公司认可了纳微半导体的独特愿景，系统方案和和核心技术，认为纳微有望催生带来基于氮化镓的下一代电源系统。同年，纳微半导体被授予上海张江895和张江科学城ICV先锋联盟 “创新之星”称号，随后在2020年，纳微半导体同时获得中国通信工业协会（CCIA）的 “半导体设计创新优秀奖 “和Aspencore “年度杰出创新公司 “奖。

同样是 2020 年，纳微半导体宣布氮化镓器件和应用的专利，已经超过100多项。

纳微半导体持续仍在继续不断地开发 GaNFast 系列功率芯片产品，。和大多数传统硅器件，或者早期分立式氮化镓器件不同，纳微半导体的这些器件，采用非常小巧的表面贴装型封装 QFN，消除了限速、有损分立驱动和保护电路，并缩小了印刷电路版（PCB）面积。

截止到2021年4月1日，纳微半导体已经完成了1820万片零故障氮化镓功率芯片的出货运输。

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