氮化镓 (GaN) 是一种宽禁带半导体材料，与碳化硅 (SiC) 同属一类。如果可以生长出大直径的单晶氮化镓来制作加工用的晶片，就可以用类似于今天制造碳化硅 MOSFET 的方式来制造垂直晶体管。然而，氮化镓的特性使得生长氮化镓衬底变得非常困难。相反，氮化镓芯片可以通过使用现有的、低成本的硅片作为衬底，并通过外延生长氮化镓，将其制作成横向晶体管，也就是高电子迁移率晶体管 (HEMT)。

由于 GaN HEMT 晶体管提高了功率密度，并能运行高速开关，因此它们是需要快速导通和关断速度的半导体器件的理想之选，同时能够实现更高的效率和可靠性。

氮化镓半导体适用于各种应用的电源和转换。例如，英飞凌的氮化镓技术解决方案为电信基础设施的发展提供了基准效率和最大的功率密度。此外，使用英飞凌的氮化镓晶体管进行高效的功率转换，可以降低运营成本，因为氮化镓电源的占用空间更小，同时还能提供最佳的解决方案稳健性。

和英飞凌的所有功率晶体管一样，氮化镓功率晶体管 CoolGaN™ 系列也获得了广泛的单双通道、隔离和非隔离 EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 的支持。

英飞凌的 GaN EiceDRIVER™ IC，旨在实现高压 CoolGaN™ 氮化镓晶体管设计的最高性能，而且易于使用，因此缩短了上市时间。该系列的栅极驱动器IC 推荐用于高功率和硬开关应用（如图腾柱 PFC）。标准的栅极驱动器 IC （2EDF7275K、 2EDF7275F、 1EDB7275F、 1EDN7550B） 也可以与 CoolGaN™ 氮化镓晶体管一起使用，作为软开关应用（如 LLC）的一个紧凑且经济高效的解决方案。  

通过结合业界最可靠的氮化镓和驱动器技术，英飞凌的 CoolGaN™ 集成式功率级 (IPS)  600V 是市面上所有 GaN HEMT 中最可靠和高性能的解决方案之一。 此外，英飞凌为 600V 的 CoolGaN™ 功率半导体提供全系列的栅极驱动解决方案 。