氮化镓（GaN、Gallium nitride）是氮和镓的化合物，是一种III族和V族的直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极体中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的雷射二极体，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光（Diode-pumped solid-state laser）的条件下，产生紫光（405 nm）雷射。
Quick Facts 氮化镓, 识别 ...
氮化镓
IUPAC名Gallium nitride
识别
CAS号
25617-97-4 Y
PubChem
117559
ChemSpider
105057
SMILES
[Ga]#N
InChI
1/Ga.N/rGaN/c1-2
InChIKey
JMASRVWKEDWRBT-MDMVGGKAAI
RTECS
LW9640000
性质
化学式
GaN
摩尔质量
83.73 g/mol g·mol⁻¹
外观
黄色粉末
密度
6.15 g/cm3
熔点
>2500°C[1]
溶解性（水）
会和水反应
能隙
3.4 eV（300 K, direct） eV
电子迁移率
440 cm2/（V·s，300 K）
热导率
2.3 W/（cm·K，300 K）[2]
折光度nD
2.429
结构
晶体结构
纤锌矿
空间群
C6v4-P63mc
晶格常数
a = 3.186 Å, c = 5.186 Å [3]
配位几何
正四面体
危险性
欧盟编号
未列出
闪点
不可燃
相关物质
其他阴离子
磷化镓砷化镓锑化镓
其他阳离子
氮化硼氮化铝氮化铟
相关化学品
砷化铝镓砷化铟镓磷𬬹化镓氮化铝镓氮化铟镓
若非注明，所有数据均出自标准状态（25 ℃，100 kPa）下。
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如同其他III族元素的氮化物，氮化镓对电离辐射的敏感性较低，这使得它适合用于人造卫星的太阳能电池阵列。军事的和空间的应用也可能受益，因为氮化镓设备在辐射环境中显示出稳定性[4]。相比砷化镓（GaAs）晶体管，氮化镓晶体管可以在高得多的温度和电压工作运行，因此它们是理想的微波频率的功率放大器。
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