杭州镓仁半导体有限公司近日宣布，与浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院和硅及先进半导体材料全国重点实验室合作，成功研发出高质量的6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓单晶，并成功加工制造出6英寸氧化镓衬底片。这也使杭州镓仁半导体成为国内首个掌握6英寸氧化镓单晶衬底制备技术的产业化公司。

氧化镓因其出色的性能和低成本制造而备受关注，是第四代半导体材料之一。该材料主要用于功率器件、射频器件和探测器，在轨道交通、智能电网、新能源汽车、光伏发电、5G移动通信和国防军工等领域具有广泛的应用前景。

此次研发中采用的铸造法具有许多显著优势。首先，铸造法成本较低，因为使用了大量贵金属Ir来减少用量和损耗，成本大幅降低。其次，铸造法操作简单可控，工艺流程短效率高且尺寸容易放大。此外，该工艺拥有完全自主知识产权，在中国和美国已获得专利授权，为突破国外技术垄断、实现国产化替代奠定了坚实基础。

虽然日本在氧化镓衬底方面仍处于领先地位，但国内市场也在逐渐追赶。