本征半导体是一种纯净的半导体材料，其电子和空穴的浓度只由温度和材料的本质特性决定。在晶体结构中，本征半导体中几乎不掺杂其他元素或化学物质，因此被认为是具有最理想电学性能的材料之一。

本征半导体是指没有掺杂任何杂质的半导体材料。这些材料通常是由单一元素（如硅、锗）或复合物（如硒化铟）组成的晶体。内部只含有基本元素或化合物中的相等数目的空穴和自由电子，不会产生任何外界杂质影响直接自身的电学性质。

使用储存器和计算机技术的普及使半导体物理现象日益重要。本征半导体的独特性质显得更加重要。当向一个本质半导体施加电压时，其中的电子将移动到高电场区域，留下相应数量的正空穴，并创建一个等离子体。此过程被称为载流子激发。在这种情况下，电场中存在一些能够传输的载流子（自由电子和正空穴），产生电流。

本征半导体具有以下几个主要特征：