一种碳化硅陶瓷表面多孔沸石分子筛涂层材料，其特征在于，沸石分子筛涂层在多孔碳化硅陶瓷载体表面负载均匀，沸石分子筛涂层具有由沸石分子筛的微孔以及沸石晶体相互搭接形成的大孔组成的双重孔道结构。2.按照权利要求1所述的碳化硅陶瓷表面多孔沸石分子筛涂层材料，其特征在于，碳 化硅陶瓷载体具有宏观多孔结构，碳化硅陶瓷载体为泡沫结构或蜂窝结构，泡沫碳化硅陶 瓷的筋表面和蜂窝碳化硅陶瓷的孔壁上有0. 1〜10微米的微孔。3.按照权利要求2所述的碳化硅陶瓷表面多孔沸石分子筛涂层材料，其特征在于，泡 沫碳化硅陶瓷具有三维连通网络状孔结构，孔隙率30%〜90%，孔径为0. 5〜5毫米；蜂 窝碳化硅陶瓷孔道为直通的，在轴向相互平行，没有径向联通，孔隙率30%〜85%，孔径为 0. 5〜6毫米。4.按照权利要求1所述的碳化硅陶瓷表面多孔沸石分子筛涂层材料，其特征在于，沸 石分子筛的微孔，具有矩形通道相互连接的规则孔结构，微孔的孔径为0. 3〜2. 0纳米，均 勻分布。5.按照权利要求1所述的碳化硅陶瓷表面多孔沸石分子筛涂层材料，其特征在于，沸 石晶体之间互相搭接形成的大孔，大孔尺寸为20纳米〜10微米。6.按照权利要求1所述的碳化硅陶瓷表面多孔沸石分子筛涂层材料，其特征在于，所 述沸石分子筛包括ZSM-5型沸石、silicalite-1型沸石或TS-I型沸石。7.按照权利要求1所述的碳化硅陶瓷表面多孔沸石分子筛涂层材料的制备方法，其 特征在于，预先，在多孔碳化硅陶瓷表面涂覆一层沸石前躯体溶胶，沸石前躯体溶胶的组成 为，正硅酸乙酯、四丙基氢氧化铵、去离子水之间的摩尔比为1 ： 0.1〜1.0 ： 29;然后，在 二次生长溶液中进行生长，二次生长溶液的组成为，正硅酸乙酯、四丙基氢氧化铵和去离子 水之间的摩尔比为1 ： 0.05〜1.0 ： 110。8.按照权利要求7所述的碳化硅陶瓷表面多孔沸石分子筛涂层材料的制备方法，其特 征在于，沸石前躯体溶胶的制备采用正硅酸乙酯作为硅源，四丙基氢氧化铵作为模板剂，在 去离子水中原位合成，制备过程如下：1)溶液配制将正硅酸乙酯、四丙基氢氧化铵、去离子水按比例混合，正硅酸乙酯、四丙基氢氧化铵、 去离子水之间的摩尔比为1 ： 0. 1〜1. 0 ： 29 ；2)水热合成待正硅酸乙酯完全水解后，将上述溶液放在反应釜中水热合成，水热合成的温度为 100〜180°C，反应时间为3〜12小时，压力为溶液自生压力。9.按照权利要求7所述的碳化硅陶瓷表面多孔沸石分子筛涂层材料的制备方法，其特 征在于，二次生长溶液的制备采用正硅酸乙酯作为硅源，四丙基氢氧化铵作为模板剂，在去 离子水中原位合成，制备过程如下：1)溶液配制将正硅酸乙酯、四丙基氢氧化铵、去离子水按比例混合，正硅酸乙酯、四丙基氢氧化铵 和去离子水之间的摩尔比为1 ： 0.05〜1.0 ： 110 ；2)水热合成将一定量的碳化硅陶瓷载体放入上述溶液，碳化硅陶瓷与反应溶液的重量比为·1 ： (20〜50)；水热合成的温度为150〜200°C，反应时间为10〜96小时，压力为溶液自 生压力； 3)焙烧先将清洗后的试样干燥；然后，在空气气氛下，在450〜650°C，焙烧2〜10小时，去除 模板剂，获得碳化硅陶瓷表面分子筛涂层材料。10.按照权利要求9所述的碳化硅陶瓷表面多孔沸石分子筛涂层材料的制备方法，其 特征在于，当制备ZSM-5型或TS-I型沸石涂层时，待二次生长溶液中正硅酸乙酯完全水解 后，加入硝酸铝或硫酸钛，继续搅拌30〜120min ；此时，正硅酸乙酯、四丙基氢氧化铵、硝酸 铝或硫酸钛、去离子水按摩尔比1 ： 0.05〜1.0 ： 0.001〜0.1 ： 110。