存储器按其存储介质特性主要分为“易失性存储器”和“非易失性存储器”两大类。其中的“易失/非易失”是指存储器断电后， 它存储的数据内容是否会丢失的特性。由于一般易失性存储器存取速度快，而非易失性存储器可长期保存数据， 它们都在计算机中占据着重要角色。在计算机中易失性存储器最典型的代表是内存，非易失性存储器的代表则是硬盘。

1、RAM（Random Access Memory）：随机存储器。可随意读取存储器内部任意地址的数据，所需时间与数据所在位置无关，时间都是相同的。

根据RAM的存储机制，又分为动态随机存储器DRAM(Dynamic RAM)以及静态随机存储器SRAM(Static RAM)两种。

DRAM：动态随机存储器。存储单元以电容的电荷来表示数据，有电荷代表1，无电荷代表0。但随着时间延长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，因此它需要定期刷新操作，即“动态(Dynamic)“的特性。 刷新操作会对电容进行检查，若电量大于满电量的1/2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于1/2，则认为其代表0，并把电容放电，藉此来保证数据的正确性。

根据DRAM的通讯时是否需要使用时钟信号，又分为同步和异步两种。

SDRAM（Synchronous DRAM）：使用时钟同步的通讯，速度更快，在时钟的上升沿表示有效数据。

DDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM）：可以在时钟的上升沿和下降沿各表示一个数据，即一个时钟周期可以表示2位数据，在时钟频率相同的情况下，与SDRAM相比速度提高了一倍。至于DDRII和DDRIII，它们的通讯方式没有区别，主要是通讯同步时钟的频率提高了。

2、SRAM：静态随机存储器。存储单元以锁存器存储数据，不需要定时刷新充电就能保持状态。SRAM根据其通讯方式也分为同步(SSRAM)和异步SRAM，相对来说，异步SRAM用得比较广泛。

3、DRAM和SRAM比较

DRAM的结构简单得多，所以生产相同容量的存储器，DRAM的成本要更低，且集成度更高。 而DRAM中的电容结构则决定了它的存取速度不如SRAM。所以在实际应用场合中，SRAM一般只用于CPU内部的高速缓存(Cache)，而外部扩展的内存一般使用DRAM。 

1、ROM（Read Only Memory）：只读存储器。一般用于指代非易失性半导体存储器。

MASK ROM：掩膜只读存储器。内部存储数据不可修改，大批量生产时成本低。

OTPROM（One Time Programmable ROM）：一次可编程存储器。用户可以使用专用编程器自己写入资料，但只能写入一次，写入后内容不可修改。

EPROM（Erasable Programmable ROM）：可重复擦写的存储器。使用紫外线照射芯片内部擦除数据，擦除和写入需要专用设备。

EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM）：电可擦拆存储器。EEPROM可以重复擦写，它的擦除和写入都是直接使用电路控制， 不需要再使用外部设备来擦写。而且可以按字节为单位修改数据，无需整个芯片擦除。

2、FLASH存储器：闪存。可重复擦写的存储器，容量一般比EEPROM大得多， 且在擦除时，一般以多个字节为单位。

根据存储单元电路的不同， FLASH存储器又分为NOR FLASH和NAND FLASH。

NOR与NAND的共性是在数据写入前都需要有擦除操作，而擦除操作一般是以“扇区/块”为单位的。 而NOR与NAND特性的差别，主要是由于其内部“地址/数据线”是否分开导致的。

NOR的地址线和数据线分开，可以按“字节”读写数据，符合CPU的指令译码执行要求，所以假如NOR上存储了代码指令， CPU给NOR一个地址，NOR就能向CPU返回一个数据让CPU执行，中间不需要额外的处理操作。

而NAND的数据和地址线共用，只能按“块”来读写数据，假如NAND上存储了代码指令，CPU给NAND地址后， 它无法直接返回该地址的数据，所以不符合指令译码要求。若代码存储在NAND上，可以把它先加载到RAM存储器上，再由CPU执行。所以在功能上可以认为NOR是一种断电后数据不丢失的RAM， 但它的擦除单位与RAM有区别，且读写速度比RAM要慢得多。

另外，FLASH的擦除次数都是有限的(现在普遍是10万次左右)，当它的使用接近寿命的时候，可能会出现写操作失败。 由于NAND通常是整块擦写，块内有一位失效整个块就会失效（坏块），而且由于擦写过程复杂，从整体来说NOR坏块更少， 寿命更长。由于可能存在坏块，所以FLASH存储器需要“探测/错误更正(EDC/ECC)”算法来确保数据的正确性。

由于两种FLASH存储器特性的差异，NOR FLASH一般应用在代码存储的场合，如嵌入式控制器内部的程序存储空间。 而NAND FLASH一般应用在大数据量存储的场合，包括SD卡、U盘以及固态硬盘等，都是NAND FLASH类型的。