STM32内部Flash读写操作 |
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STM32内部Flash读写操作
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STM32内部Flash读写操作
硬件平台：以STM32F103C8T6为例 固件库SDK版本：HAL V1.8.3 目录STM32内部Flash读写操作1、内存映射介绍2、Flash分布介绍3、读写flash操作流程4、代码实现 1、内存映射介绍（1）stm32的flash地址起始于0x0800 0000，结束地址是0x0800 0000加上芯片实际的flash大小，不同的芯片flash大小不同。 （2）RAM起始地址是0x2000 0000，结束地址是0x2000 0000加上芯片的RAM大小。不同的芯片RAM也不同。 Flash中的内容一般用来存储代码和一些定义为const的数据，断电不丢失， RAM可以理解为内存，用来存储代码运行时的数据，变量等等。掉电数据丢失。STM32将外设等都映射为地址的形式，对地址的操作就是对外设的操作。 stm32的外设地址从0x4000 0000开始，可以看到在库文件中，是通过基于0x4000 0000地址的偏移量来操作寄存器以及外设的。
一般情况下，程序文件是从 0x0800 0000 地址写入，这个是STM32开始执行的地方，0x0800 0004是STM32的中断向量表的起始地址。 在使用keil进行编写程序时，其编程地址的设置如下图： 程序的写入地址从0x08000000开始的，其大小为0x10000也就是64KB的空间，换句话说就是告诉编译器flash的空间是从0x08000000-0x08010000，RAM的地址从0x20000000开始，大小为0x05000也就是20KB的RAM。这与STM32的内存地址映射关系是对应的。 M3复位后，从0x08000004取出复位中断的地址，并且跳转到复位中断程序，中断执行完之后会跳到我们的main函数，main函数里边一般是一个死循环，进去后就不会再退出，当有中断发生的时候，M3将PC指针强制跳转回中断向量表，然后根据中断源进入对应的中断函数，执行完中断函数之后，再次返回main函数中。大致的流程就是这样。
flash由主存储区、系统存储区、选项字节区域，部分型号还有OTP（one time program）区域组成，地址分布如下图： 主存储器：一般我们说 STM32 内部 FLASH 的时候，都是指这个主存储器区域它是存储用户应用程序的空间，芯片型号说明中的 1M FLASH、 2M FLASH 都是指这个区域的大小。与其它 FLASH 一样，在写入数据前，要先按扇区擦除。 系统存储区：系统存储区是用户不能访问的区域，它在芯片出厂时已经固化了启动代码，它负责实现串口、 USB 以及 CAN 等 ISP 烧录功能。 OTP 区域：OTP(One Time Program)，指的是只能写入一次的存储区域，容量为 512 字节，写入后数据就无法再更改， OTP 常用于存储应用程序的加密密钥。 选项字节区域：选项字节用于配置 FLASH 的读写保护、电源管理中的 BOR 级别、软件/硬件看门狗等功能，这部分共 32 字节。可以通过修改 FLASH 的选项控制寄存器修改。 3、读写flash操作流程 解锁 （固定的KEY值） (1) 往 Flash 密钥寄存器 FLASH_KEYR 中写入 KEY1 = 0x45670123 (2) 再往 Flash 密钥寄存器 FLASH_KEYR 中写入 KEY2 = 0xCDEF89AB
数据操作位数 最大操作位数会影响擦除和写入的速度，其中 64 位宽度的操作除了配置寄存器位外，还需要在 Vpp 引脚外加一个电压源，且其供电间不得超过一小时，否则 FLASH可能损坏，所以 64 位宽度的操作一般是在量产时对 FLASH 写入应用程序时才使用，大部分应用场合都是用 32 位的宽度。 擦除扇区 在写入新的数据前，需要先擦除存储区域， STM32 提供了扇区擦除指令和整个FLASH 擦除(批量擦除)的指令，批量擦除指令仅针对主存储区。 扇区擦除的过程如下： (1) 检查 FLASH_SR 寄存器中的“忙碌寄存器位 BSY”，以确认当前未执行任何 Flash 操作； (2) 在 FLASH_CR 寄存器中，将“激活扇区擦除寄存器位 SER ”置 1，并设置“扇 区编号寄存器位 SNB”，选择要擦除的扇区； (3) 将 FLASH_CR 寄存器中的“开始擦除寄存器位 STRT ”置 1，开始擦除； (4) 等待 BSY 位被清零时，表示擦除完成。 写入数据 擦除完毕后即可写入数据，写入数据的过程并不是仅仅使用指针向地址赋值，赋值前还还需要配置一系列的寄存器，步骤如下： (1) 检查 FLASH_SR 中的 BSY 位，以确认当前未执行任何其它的内部 Flash 操作； (2) 将 FLASH_CR 寄存器中的 “激活编程寄存器位 PG” 置 1； (3) 针对所需存储器地址（主存储器块或 OTP 区域内）执行数据写入操作； (4) 等待 BSY 位被清零时，表示写入完成。 写flash操作流程图
读flash操作流程
官方库函数提供了几个接口函数，可对flash进行解锁、上锁、读、写、擦除等操作 stm32f1xx_hal_flash.h stm32f1xx_hal_flash.c stm32f1xx_hal_flash_ex.h stm32f1xx_hal_flash_ex.c 接口函数介绍 // 解锁操作函数 HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Unlock(void); HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Lock(void); // 写操作函数 /** * @brief Program halfword, word or double word at a specified address * @note The function HAL_FLASH_Unlock() should be called before to unlock the FLASH interface * The function HAL_FLASH_Lock() should be called after to lock the FLASH interface * * @note If an erase and a program operations are requested simultaneously, * the erase operation is performed before the program one. * * @note FLASH should be previously erased before new programmation (only exception to this * is when 0x0000 is programmed) * * @param TypeProgram: Indicate the way to program at a specified address. * This parameter can be a value of @ref FLASH_Type_Program * @param Address: Specifies the address to be programmed. * @param Data: Specifies the data to be programmed * * @retval HAL_StatusTypeDef HAL Status */ HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint64_t Data); /** * @brief Program halfword, word or double word at a specified address with interrupt enabled. * @note The function HAL_FLASH_Unlock() should be called before to unlock the FLASH interface * The function HAL_FLASH_Lock() should be called after to lock the FLASH interface * * @note If an erase and a program operations are requested simultaneously, * the erase operation is performed before the program one. * * @param TypeProgram: Indicate the way to program at a specified address. * This parameter can be a value of @ref FLASH_Type_Program * @param Address: Specifies the address to be programmed. * @param Data: Specifies the data to be programmed * * @retval HAL_StatusTypeDef HAL Status */ HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program_IT(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint64_t Data); // 擦除操作函数 /** * @brief Perform a mass erase or erase the specified FLASH memory pages * @note To correctly run this function, the @ref HAL_FLASH_Unlock() function * must be called before. * Call the @ref HAL_FLASH_Lock() to disable the flash memory access * (recommended to protect the FLASH memory against possible unwanted operation) * @param[in] pEraseInit pointer to an FLASH_EraseInitTypeDef structure that * contains the configuration information for the erasing. * * @param[out] PageError pointer to variable that * contains the configuration information on faulty page in case of error * (0xFFFFFFFF means that all the pages have been correctly erased) * * @retval HAL_StatusTypeDef HAL Status */ HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, uint32_t *PageError); HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase_IT(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit); 用户接口实现flash.h #ifndef __FLASH_H__ #define __FLASH_H__ #include "main.h" #define FLASH_BASE_ADDR 0x08000000UL /* Flash基地址 */ #define SECTOR_SIZE 1024 /* 块大小 */ #define FLASH_SIZE (1*64*1024) /* Flash 容量 */ #define UserFlashAddress ((uint32_t)(FLASH_BASE_ADDR | 0xFC00)) // 用户读写起始地址（内部flash的主存储块地址从0x080FC000开始） #endif /* __FLASH_H__ */flash.c #include "flash.h" //从指定地址开始写入多个数据（16位） void FLASH_WriteHalfWordData(uint32_t startAddress, uint16_t *writeData, uint16_t countToWrite) { uint32_t offsetAddress = startAddress - FLASH_BASE_ADDR; // 计算去掉0X08000000后的实际偏移地址 uint32_t sectorPosition = offsetAddress / SECTOR_SIZE; // 计算扇区地址，对于STM32F103VET6为0~255 uint32_t sectorStartAddress = sectorPosition * SECTOR_SIZE + FLASH_BASE_ADDR; // 对应扇区的首地址 uint16_t dataIndex; if (startAddress < FLASH_BASE_ADDR || ((startAddress + countToWrite * 2) >= (FLASH_BASE_ADDR + SECTOR_SIZE * FLASH_SIZE))) { return; // 非法地址 } FLASH_Unlock(); // 解锁写保护 FLASH_ErasePage(sectorStartAddress); // 擦除这个扇区 for (dataIndex = 0; dataIndex < countToWrite; dataIndex++) { HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD, startAddress + dataIndex * 2, writeData[dataIndex]); } FLASH_Lock(); // 上锁写保护 } //从指定地址开始写入多个数据（32位） void FLASH_WriteWordData(uint32_t startAddress, uint32_t *writeData, uint16_t countToWrite) { uint32_t offsetAddress = startAddress - FLASH_BASE_ADDR; // 计算去掉0X08000000后的实际偏移地址 uint32_t sectorPosition = offsetAddress / SECTOR_SIZE; // 计算扇区地址，对于STM32F103VET6为0~255 uint32_t sectorStartAddress = sectorPosition * SECTOR_SIZE + FLASH_BASE_ADDR; // 对应扇区的首地址 uint16_t dataIndex; if (startAddress < FLASH_BASE_ADDR || ((startAddress + countToWrite * 4) >= (FLASH_BASE_ADDR + SECTOR_SIZE * FLASH_SIZE))) { return; // 非法地址 } FLASH_Unlock(); // 解锁写保护 FLASH_ErasePage(sectorStartAddress); // 擦除这个扇区 for (dataIndex = 0; dataIndex < countToWrite; dataIndex++) { HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, startAddress + dataIndex * 4, writeData[dataIndex]); } FLASH_Lock(); // 上锁写保护 } //从指定地址开始写入多个数据（64位） void FLASH_WriteDoubleWordData(uint32_t startAddress, uint64_t *writeData, uint16_t countToWrite) { uint32_t offsetAddress = startAddress - FLASH_BASE_ADDR; // 计算去掉0X08000000后的实际偏移地址 uint32_t sectorPosition = offsetAddress / SECTOR_SIZE; // 计算扇区地址，对于STM32F103VET6为0~255 uint32_t sectorStartAddress = sectorPosition * SECTOR_SIZE + FLASH_BASE_ADDR; // 对应扇区的首地址 uint16_t dataIndex; if (startAddress < FLASH_BASE_ADDR || ((startAddress + countToWrite * 8) >= (FLASH_BASE_ADDR + SECTOR_SIZE * FLASH_SIZE))) { return; // 非法地址 } FLASH_Unlock(); // 解锁写保护 FLASH_ErasePage(sectorStartAddress); // 擦除这个扇区 for (dataIndex = 0; dataIndex < countToWrite; dataIndex++) { HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, startAddress + dataIndex * 8, writeData[dataIndex]); } FLASH_Lock(); // 上锁写保护 } // 读取指定地址的半字(16位数据) uint16_t FLASH_ReadHalfWord(uint32_t address) { return *(__IO uint16_t*)address; } // 读取指定地址的单字(32位数据) uint16_t FLASH_ReadWord(uint32_t address) { return *(__IO uint32_t*)address; } // 读取指定地址的双字(64位数据) uint16_t FLASH_ReadDoubleWord(uint32_t address) { return *(__IO uint64_t*)address; } // 从指定地址开始读取多个数据（16位数据） void FLASH_ReadHalfWordData(uint32_t startAddress, uint16_t *readData, uint16_t countToRead) { uint16_t dataIndex; for (dataIndex = 0; dataIndex < countToRead; dataIndex++) { readData[dataIndex] = FLASH_ReadHalfWord(startAddress + dataIndex * 2); } } // 从指定地址开始读取多个数据（32位数据） void FLASH_ReadWordData(uint32_t startAddress, uint32_t *readData, uint16_t countToRead) { uint16_t dataIndex; for (dataIndex = 0; dataIndex < countToRead; dataIndex++) { readData[dataIndex] = FLASH_ReadWord(startAddress + dataIndex * 4); } } // 从指定地址开始读取多个数据（64位数据） void FLASH_ReadDoubleWordData(uint32_t startAddress, uint64_t *readData, uint16_t countToRead) { uint16_t dataIndex; for (dataIndex = 0; dataIndex < countToRead; dataIndex++) { readData[dataIndex] = FLASH_ReadDoubleWord(startAddress + dataIndex * 8); } }test.c #include "main.h" #include "flash.h" void write_to_flash(void) { uint16_t buff[64]; uint16_t count_len = sizeof(buff) / sizeof(buff[0]); printf("\r\nWriteData successful!\r\n"); for(uint16_t i = 0; i < count_len; ++i) { if(i != 0 && i % 16 == 0) printf("\r\n"); buff[i] = rand() % 64 + 1; printf("0x%02x,", buff[i]); } FLASH_WriteHalfWordData(UserFlashAddress,buff,count_len); printf("\r\n"); } void read_from_flash(void) { uint16_t buff[64]; uint16_t count_len = sizeof(buff) / sizeof(buff[0]); FLASH_ReadHalfWordData(UserFlashAddress, buff,count_len); printf("\r\nReadData successful!\r\n"); for(uint16_t i = 0; i < count_len; ++i) { if(i != 0 && i % 16 == 0) printf("\r\n"); printf("0x%02x,", buff[i]); } printf("\r\n"); } void main(void) { // 省略掉了部分初始化代码，只保留调用代码 write_to_flash(); read_from_flash(); while(1); }测试结果截图：
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