外延层CGaN和UGaN是两种不同的材料，它们在材料组成和性能上有所不同。

首先，CGaN是压应力外延层（compressively strained GaN）的简称，而UGaN是拉应力外延层（tensile strained GaN）的简称。压应力和拉应力是外延层在生长过程中受到的应力类型。

在材料组成方面，CGaN是一种以氮化镓（GaN）为基础的材料，其中施加了压应力。压应力可以改变晶格结构，提高电子迁移率和载流子浓度，并改善器件的性能。UGaN也是以氮化镓为基础的材料，但施加的是拉应力。拉应力可以增加能带间距，改善电子与空穴分离效率。

在性能方面，CGaN和UGaN具有不同的特点。CGaN在光电器件中具有优异的载流子传输性能和较高的电子迁移率，适用于高功率电子器件和深紫外LED等领域。UGaN具有较大的能带间隙，可以提高光电转换效率，并且在光电二极管和太阳能电池等器件中有较好的应用前景。

总的来说，CGaN和UGaN是两种不同应力状态下的氮化镓外延层。它们在材料组成和性能上有所不同，适用于不同的应用领域。