前几年外界预测QLC（四层单元）可擦写寿命仅有100-150次，有很多用户都担心QLC不耐用。但后来美光、东芝等品牌商均表示3D QLC闪存能经受1000次擦写，比外界预测的寿命多了十倍。其实，QLC的擦写寿命有所延长要归功于3D NAND。

一般来说，采用更先进的制作工艺能显著提升SSD的存储容量，但是SSD的寿命会变短。如今有一种新型的3D NAND技术，一方面能让固态硬盘的寿命不变，另一方面能让固态硬盘获得更大容量。该技术的概念其实非常简单：不同于将存储芯片放置在单面，3D NAND技术可以把存储单元堆叠最高32层。这样一来，单个MLC存储芯片上可以增加最高32GB的存储空间，而单个TLC存储芯片可增加48GB。

不过QLC固态硬盘的寿命有限，仍然比不上SLC和MLC存储芯片。在此，建议大家尽量不要把QLC固态硬盘作为下载盘，作为数据仓库则会更加合适。