和半导体器件一样，发光二极管

(LED)

早期失效原因分析是可靠性工作的重要部

分，是提高

LED

可靠性的积极主动的方法。

LED

失效分析步骤必须遵循先进行非

破坏性、可逆、可重复的试验，再做半破坏性、不可重复的试验，最后进行破坏

性试验的原则。采用合适的分析方法，最大限度地防止把被分析器件

(DUA)

的真

正失效因素、迹象丢失或引入新的失效因素，以期得到客观的分析结论。针对

LED

所具有的光电性能、树脂实心及透明封装等特点，在

LED

早期失效分析过程

中，已总结出一套行之有效的失效分析新方法。

2 LED

失效分析方法

2.1 

减薄树脂光学透视法

在

LED

失效非破坏性分析技术中，

目视检验是使用最方便、

所需资源最少的

方法，

具有适当检验技能的人员无论在任何地方均能实施，

所以它是最广泛地用

于进行非破坏检验失效

LED

的方法。

除外观缺陷外，

还可以透过封装树脂观察内

部情况，

对于高聚光效果的封装，

由于器件本身光学聚光效果的影响，

往往看不

清楚，

因此在保持电性能未受破坏的条件下，

可去除聚光部分，

并减薄封装树脂，

再进行抛光，

这样在显微镜下就很容易观察

LED

芯片和封装工艺的质量。

诸如树

脂中是否存在气泡或杂质

;

固晶和键合位置是否准确无误

;

支架、

芯片、

树脂是否

发生色变以及芯片破裂等失效现象，都可以清楚地观察到了。

2.2 

半腐蚀解剖法

对于

LED

单灯，

其两根引脚是靠树脂固定的，

解剖时，

如果将器件整体浸入

酸液中，

强酸腐蚀祛除树脂后，

芯片和支架引脚等就完全裸露出来，

引脚失去树

脂的固定，

芯片与引脚的连接受到破坏，

这样的解剖方法，

只能分析

DUA

的芯片

问题，

而难于分析

DUA

引线连接方面的缺陷。

因此我们采用半腐蚀解剖法，

只将

LED



DUA

单灯顶部浸入酸液中，并精确控制腐蚀深度，去除

LED



DUA

单灯顶

部的树脂，

保留底部树脂，

使芯片和支架引脚等完全裸露出来，

完好保持引线连

接情况，以便对

DUA

全面分析。图

1

所示为半腐蚀解剖前后的

φ

5LED

，可方便

进行通电测试、观察和分析等试验。