例子：

MOS管并非理想的电压控制器件 存在 C g d C_{gd} Cgd​ C g s C_{gs} Cgs​ C d s C_{ds} Cds​ 等结电容

或者可以定义以下的分布三个电容：

如下图所示：

这就导致给G极加上电压时，关闭和导通不是瞬间的，也有一个给 C g s C_{gs} Cgs​充放电的过程。

在快速通断过程中，电路的寄生电感，寄生电容，和 C g s C_{gs} Cgs​容易形成LC震荡（振铃），使得MOS管行为异常或不完全导通，发热炸管。

图中栅极电阻R1、R4的作用是在驱动回路中提供足够的阻尼，来阻尼mos开通瞬间驱动电流的震荡，避免振铃。

该电阻取值再5~100欧姆之间，通常取10欧姆或22欧姆。

但是，如果只加R1、R4电阻，而不使用D1和D2，该电阻过大会影响导通和关断的速度。同时，如果阻值过大，mos管关断时产生很大的dV/dt使得mos管再次误开通。所以需要有D1和D2参与，加快关断

D1和D2二极管的作用是加速关断，并且可以防止mos管关断时产生很大的dV/dt使得mos管再次误开通。

二极管的开关时间越小越好，整流电流越大越好，压降越小越好。

一般可以使用以下型号的二极管

阿三讲的：

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知乎：

https://zhuanlan.zhihu.com/p/408980691

R2和R5为mos管栅源极的下拉电阻，其作用是为了给mos管栅极积累的电荷提供泄放回路，一般取值在10k~几十k这一数量级。由于该电阻阻值较大，对于mos管的开关瞬态工作情况基本没有影响。

注意，这个电阻在驱动电路的工作状态下是不起主要作用的，而是在电路停止工作的一瞬间，由于栅极电位是无法确定的，若MOS正在处于被驱动开通的状态，则其栅极会积累一定的电荷，假设此时断电，则处于高阻态的栅源极会导致这部分电荷一直被存储，就有可能会在电路下次启动的瞬间导致MOS的误开通或者栅极的击穿，为防止此类现象产生，则加一颗电阻下拉用于泄放电荷，起到保护栅极的作用。

R3为电流采样电阻。取值根据电流采样芯片和ADC的基准电压选取

在高端器件开通时，自举二极管D1、D2、D3必须能够阻止高压，并且应是快恢复二极管，以减小从自举电容向电源Vcc 的回馈电荷。如果电容需要长期贮存电荷时，高温反向漏电流指标也很重要。

同样可以采用上面提到过的：

FR107 据说可以，但是看手册说这个反向恢复时间有点慢，500ns

C g = Q C / V G E C_g = Q_C/V_{GE} Cg​=QC​/VGE​

V G E ≈ V D D − V D B o o T V_{GE} ≈ V_{DD}-V_{DBooT} VGE​≈VDD​−VDBooT​

C B o o T > = 1 0 ∗ C g C_{BooT} >= 10^* C_g CBooT​>=10∗Cg​

其中 V D B o o T V_{DBooT} VDBooT​是自举二极管D1的管压降， V D D V_{DD} VDD​是EG2133的电源电压（与VB1、2、3相同）， C B o o T C_{BooT} CBooT​是自举电容的容值。

如果 C g C_g Cg​算出来是10.56nf，那么 C B o o T C_{BooT} CBooT​取220nf,330nf,470nf等就可以。

对于C5，一般要求大于10倍的 C B o o T C_{BooT} CBooT​。也需要再并联一个小容量的0.1uf的电容。

参考链接：

唐老师B站：

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https://www.bilibili.com/video/BV11U4y1T7Uo/?spm_id_from=333.999.0.0&vd_source=2fbf780b86fcbd7821e27fdb6cff773e

阿三讲的：

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知乎：

https://zhuanlan.zhihu.com/p/408980691

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