目录

一、猜测

1.1 纯猜

1.2 mos管相关知识

目录

一、猜测

1.1 纯猜

1.2 mos管相关知识

 1.3 DirectFET MOS管

二、电路准备

2.1 自举升压电路

2.2 核心电路

三、怎么焊底下带焊盘的芯片？

四、基于DRV8301的三相逆变器电路学习

4.1 芯片pin详解

4.1.1 DTC死区时间调节

4.1.2 故障指示灯和过流、过温保护指示灯

4.1.3 SPI接口

4.1.4 DC_CAL

4.1.5 GVDD、PVDD

4.1.6 电荷泵（CP1、CP2）

4.1.7 BST_ABC

4.1.8 EN_GATE

4.1.9 两种PWM控制模式

4.1.10 SH_X与SL_X

4.2 BUCK电路

通过观察电路板，判断那个巨大的电容应该是三相共同的储能电容，接了六个mos管的漏极，

不然怎么把方波变成正弦波呢

为什么必须要升压？是否强弱电分开

应该也有降压电路

chip1 升压，这是给OLED升压的，奇怪

low power DC/DC boost converter in SOT-23 package

chip2 降压

1. DRV8301驱动芯片

 应该写的是SO1 SO2

2. MOS管驱动电路

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当DTC接地时，提供最小的死区时间（50ns）

控制范围（50ns-500ns）（0Ω-150kΩ）

解释：死区的意思就是ABC三相中任意一个半桥，防止上下桥同时打开造成短路的情况，会有一段两个mos管同时关闭的死区

稚晖君用的18KΩ

死区104ns，近似100ns

我使用了S8550，PNP型三极管

芯片作为一个slave，通信用16bit的数据。

SDI口：（输入）

15位：读还是写 ，0写1读

14-11位：寄存器地址

10-0位：数据

SDO口：（输出）

15位：错误标志位，是否操作成功

14-11位：寄存器地址

10-0位：数据

首先，10K下拉电阻

电流分流放大器

DC_CAL工作时是低电平

高电平时：

1. 两个DC_CAL开关断开，阻断输入

2. 拉高两个N MOS栅极，导通，运放两口同时接地，相当于校正

 REF（参考电压）V reference

STM32F4芯片控制选用3.3V参考电压

正点原子资料：

所以，该点电压定死。

S1~S4由SPI信号控制，四个档位

有10倍、20倍、40倍、80倍的反相增益

还给了个公式

很简单！！动笔算一算，我没算错

低通滤波器，滤去高频杂波

都是电源类引脚Power类

需要个滤波电容，绿区高频噪声

PVDD2是给BUCK电路供电的

分别给不同的模块供电，供电就完事了DCBUS直接接的总电源

电荷泵类似于LDO，CP1和CP2还要接个电容，这个电容还很讲究，接不好电源会不工作

 原理如下图：

 这个电容充放电要快，所以选择陶瓷电容而不是电解电容

有一种说法是：这个电容可能承受最大两倍的电源电压，所以选型时要将电源电压*2

这仨电容都是升压自举电容BOOST电路

芯片过压保护后要重置这个引脚，默认是一个高电平

拉低再拉高，装个复位按钮就行

TIM1和TIM8的死区互补：

可以通过编程让一个波偏一点，那一小块就是死区

两个脚都测电压，分别测两个MOS管的压差