电脑BIOS中如何设置内存条CL |
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电脑 BIOS 中如何设置内存条 CL 在 BIOS 中如何设置内存条的 CL 呢 ? 下⾯是店铺为⼤家介绍 BIOS 中设置内存条 CL 的⽅法 , 欢迎⼤家阅 读。
BIOS 中设置内存条 CL 的⽅法
FSB 与内存频率的关系
⾸先请⼤家看看 FSB(Front Side Bus ：前端总线 ) 和内存⽐率与内存实际运⾏频率的关系。 FSB/MEM ⽐率
实际运⾏频率 1/1 200MHz 1/2 100MHz 2/3 133MHz 3/4 150MHz 3/05 120MHz 5/6 166MHz 7/10 140MHz 9/10 180MHz 对于⼤多数玩家来说， FSB 和内存同步，即 1:1 是使性能最佳的选择。⽽其他的设置都是异步的。同 步后，内存的实际运⾏频率是 FSBx2 ，所
以， DDR400 的内存和 200MHz 的 FSB 正好同步。如果你的 FSB 为 240MHz ，则同步后，内存的实际运⾏频率为 240MHz x 2 = 480MHz 。 FSB 与不同速度的 DDR 内存之间正确 的设置关系 强烈建议采⽤ 1 ： 1 的 FSB 与内存同步的设置，这样可以完全发挥内存带宽的优势。内存时序设置 内存参数的设置正确与否，将极⼤地影响系统的整体性能。下⾯我们将针对内存关于时序设置参数 逐⼀解释，以求能让⼤家在内存参数设置中能有清晰的思路，提⾼电脑系统的性能。 涉及到的参数分别为： CPC : Command Per Clock tCL : CAS Latency Control tRCD : RAS to CAS Delay tRAS : Min RAS Active Timing tRP : Row Precharge Timing tRC : Row Cycle Time tRFC : Row Refresh Cycle Time tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay) tWR : Write Recovery Time …… 及其他 参数的设置 CPC : Command Per Clock 可选的设置： Auto ， Enable(1T) ， Disable(2T) 。
Command Per Clock(CPC ：指令⽐率，也有翻译为：⾸命令延迟 ) ，⼀般还被描述为 DRAM Command Rate 、 CMD Rate 等。由于⽬前的 DDR 内存的寻址，先要进⾏ P-Bank 的选择 ( 通过 DIMM 上 CS ⽚ 选信号进⾏ ) ，然后才是 L-Bank/ ⾏激活与列地址的选
择。这个参数的含义就是指在 P-Bank 选择完之后多少时 间可以发出具体的寻址的 L-Bank/ ⾏激活命令，单位是时钟周期。 显然， CPC 越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯⽚组的负载也随之增加，过短的命 令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多⽽出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。⽬前的 ⼤部分主板都会⾃动设置这个参数。
该参数的默认值为 Disable(2T) ，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为 Enable(1T) 。 tCL : CAS Latency Control(tCL) 可选的设置： Auto ， 1 ， 1.5 ， 2 ， 2.5 ， 3 ， 3.5 ， 4 ， 4.5 。 ⼀般我们在查阅内存的时序参数时，如 “3-4-4-8” 这⼀类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数 是 “CL-tRCD-tRP-tRAS” 。这个 3 就是第 1 个参数，即 CL 参数。
CAS Latency Control( 也被描述为 tCL 、 CL 、 CAS Latency Time 、 CAS Timing Delay) ， CAS latency 是 “ 内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间 ” 。 CAS 控制从接受⼀个指令到执⾏指令之间的时间。因 为 CAS 主要控制⼗六进制的地址，或者说
是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提 下应该尽可能设低。 内存是根据⾏和列寻址的，当请求触发后，最初是 tRAS(Activeto Precharge Delay) ，预充电后，内 存才真正开始初始化 RAS 。⼀旦 tRAS 激活后， RAS(Row Address Strobe ) 开始进⾏需要数据的寻址。⾸先 是⾏地址，然后初始化 tRCD ，周期结束，接着通过 CAS 访问所需数据的精确⼗六进制地址。期间从 CAS 开 始到 CAS 结束
就是 CAS 延迟。所以 CAS 是找到数据的最后⼀个步骤，也是内存参数中最重要的。 这个参数控制内存接收到⼀条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执⾏该指令。同时该参 数也决定了在⼀次内存突发传送过程中完成第⼀部分传
送所需要的时钟周期数。这个参数越⼩，则内存的速 度越快。必须注意部分内存不能运⾏在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒⼤家把 CAS 延迟设为 2 或 2.5 的同时，如果不稳定就只有进⼀步提⾼它了。⽽且提⾼延迟能使内存运⾏在更⾼的频率，所以需要对内存 超频时，应该试着提⾼ CAS 延迟。 该参数对内存性能的影响最⼤，在保证系统稳定性的前提下， CAS 值越低，则会导致更快的内存读 写操作。 CL 值为 2 为会获得最佳的性能，⽽ CL 值
为 3 可以提⾼系统的稳定性。注意， WinbondBH-5/6 芯⽚可 |
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