显微镜不同观察方法下的快速半导体检测

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显微镜不同观察方法下的快速半导体检测

2024-07-10 04:34:13| 来源: 网络整理| 查看: 265

显微镜解决方案在半导体制造业的高效可靠检测、质量控制 (QC)、故障分析 (FA) 和研发 (R&D) 中发挥着重要作用。

在半导体制造过程中,不同步骤可能会出现多种类型的缺陷,从而影响设备的正常运行。这些缺陷越早发现越好。这些缺陷可能是由于随机分布在晶片上的灰尘颗粒(随机缺陷),也可能是由于加工条件(例如在刻蚀过程中)造成的涂层和光刻胶的划痕、脱落和残留,并且会出现在晶片的特定区域。由于其尺寸较小,显微镜是识别此类缺陷的首选工具。

尤其是光学显微镜(OM)与电子显微镜(EM)等速度较慢、成本较高的显微镜相比,具有许多优势。由于光学显微镜的多功能性和易用性,它通常用于定性和定量研究裸晶圆和刻蚀/加工晶圆上的缺陷,也用于集成电路(IC)的组装和封装过程。

不同的光学显微观察方法,如明场 (BF)、暗场 (DF)、微分干涉对比 (DIC)、偏光 (POL)、紫外 (UV)、斜照明和红外线 (IR) 透射光 [1-4] 对于在晶圆和集成电路芯片检测过程中快速、准确地检测缺陷至关重要。



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