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很多网友认为，有了“28纳米光刻机”，就可以通过双重曝光制造14纳米芯片，通过四重曝光可以制造7纳米芯片。这种说法正确吗？

为了回答这个问题，我们需要先理清楚什么叫做“28纳米光刻机”。

通常意义上，半导体行业的光刻机的划分是根据光源波长来命名，比如我们经常说的193纳米ArF光刻机，248纳米KrF光刻机。

而我们所说的“28纳米光刻机”，则指的是达到“28纳米节点工艺”精度的浸没式光刻机。

熟悉半导体的朋友都很清楚，通常一代光源的光刻机可以通过不断迭代升级跨越多个节点；所以用“28纳米光刻机”来命名，实际上是比通常用光源波长命名要更精确一点。

“28纳米节点工艺”本身是台积电从32纳米节点到22纳米节点的一个过渡，也是02专项立项时期最先进的制程。当时ASML推出的最先进的系统是浸没式光刻机NXT:1950Ai。

为了实现28纳米以下节点，通常需要双重曝光、多重曝光，所以对浸没式光刻系统的精度要求更高。

ASML已经给出早期从2010年-2016年间迭代的4代浸没式DUV光刻机的节点精度和对应的系统指标：

1，2010-2012年的“28纳米光刻机”，其产品套刻精度9纳米，特征尺寸精度3纳米；

2，2012-2013年的“20纳米光刻机”，其产品套刻精度6纳米，特征尺寸精度1.5纳米；

3，2014-2015年的“14纳米光刻机”，其产品套刻精度4纳米，特征尺寸精度1纳米；

4，2015-2016年的“11纳米光刻机”，其产品套刻精度3纳米，特征尺寸精度小于1纳米。

如果要顺延“28纳米光刻机”的命名规范来说，我们同样需要将其升级到“22纳米光刻机”、“14纳米光刻机”、“7纳米光刻机”等不同迭代产品型号，才可以实现相应节点精度的要求。所谓的“28纳米光刻机”不能包打天下啊！

实际上，如果我们仔细地研究ASML的资料，就可以大致发现，ASML从32纳米浸没式光刻机迭代到7纳米浸没式光刻机，也用了大约10年时间！它包括了一系列系统级的逐渐优化和提升，而不是故意人为设定的代差。

所以，如果我国在2023年能够有浸没式光刻机试验机的消息，它至少需要3年才可能形成28纳米的量产能力。之后我们再讨论迭代升级，可能是合理的--当然，彼时升级的速度有可能会稍微快一点。但是这个可能性不大，因为我们可以从我国的90纳米光刻机的商业化进展来看，它从试验机台到商业化成熟产品的跨越需要的时间，远远超过大家的想象。

综上所述，即便是成熟的“28纳米光刻机”，也不能达到量产14纳米或7纳米芯片的精度要求，它仍需要大量的系统级迭代升级才可以达到更先进芯片制程的能力。

因此，我的判断是我国目前解决光刻机困局的路线出现问题，其根源是忽略了试验机台到商业化成熟产品的鸿沟，这两者依赖完全不同的开发模式和组织模式。

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