光刻返工去胶工艺 |
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阅读量: 214 申请(专利)号: CN201310157308.2 申请日期: 2013年5月2日 公开/公告号: CN103257534A 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司 发明人: 张亮,毛智彪 展开 国省代号: 上海;31 摘要: 本发明公开了一种光刻返工去胶工艺包括提供待光刻返工的晶圆,该晶圆表面经过第一次光刻并具有残留的光刻胶;使用可产生使该光刻胶发生完全光化学反应的光束的光刻机,对整个晶圆表面曝光;对曝光后的晶圆表面显影,去除光刻胶.本发明不需要利用等离子干法灰化,不存在高温制程,也不需要用到强氧化性或强酸性的化学液,因而不会对晶圆表面的薄膜产生损伤或改性.本发明工艺简单,原料消耗少,可以提高整个制造工艺流程的稳定和可制造性能,并且能增大最大光刻返工次数的限制,为研究开发和大量生产提供更大的工艺容错度. 展开 主权项: 1.一种光刻返工去胶工艺,其特征在于,包括以下步骤:步骤S01,提供待光刻返工的晶圆,该晶圆表面经过第一次光刻并具有残留的光刻胶;步骤S02,使用可产生使该光刻胶发生完全光化学反应的光束的光刻机,对整个晶圆表面曝光;步骤S03,对曝光后的晶圆表面显影,去除光刻胶。 展开 |
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