DRAM基本单元最为通俗易懂的图文解说 |
您所在的位置:网站首页 › 储存器示意图 › DRAM基本单元最为通俗易懂的图文解说 |
从http://blog.sina.com.cn/s/blog_6b489d5e0102xmup.html处转载 本文要点提示: 1. DRAM 的工作原理图文解说,包括读写以及存储; 2. 揭秘DRAM便宜但SRAM贵之谜。 学DRAM这块内容比较久了,尤其之前跟着一个精通内存的同事(后来跳到了三星)学到了一些。也做了很多笔记,试着用自己认为通俗系统的图片和文字来解说,DRAM一个基本单元的工作原理。DRAM(Dynamic Random Access Memory),即动态随机存储器,最常见的应用场景是电脑和手机的内存,是目前的电路系统中不可或缺的重要组成部分,本文会细致且较为形象的说明DRAM存储数据以及读取数据的全过程。 1. 单管构成的DRAM最小单元 单管DRAM是目前大容量存储器唯一的选择方案。电路构成上包括一个读写开关管和一个存储电容器,如下图所示。利用存储电容器存储数据,如果存储电容器上存有电荷,则表示存储单元存储1,否则存储O。 首先,要知道两个前提:其一,施加到存储电容上的电压为1/2的电源电压(Vcc/2);其二,由于电子是带负电荷,因此,电子越多处电势就越低。为了便于理清概念,我们把水库顶部电势定为0V,水库底部的电势定为Vcc。 存储单元的三个基本操作 三个基本操作分别是存储资料,写入资料以及读取资料三种。同样,便于理解,将这三种过程用水库存储放掉水来类比,稍微形象一些。 存储资料 资料存储的示意图如下所示,也就是当水库闸门关闭时(行地址线路Vth=0V),水库中的水无法流出,上游的水也无法流入,存储在水库中的水位保持不变,因此可以实现存储资料的目的。水位的高低就用高低电平来表示。 类比,货物过运河水闸的情形也非常容易理解,大家自行脑补 读取资料 DRAM存储单元中读取资料时,一般使用的列地址选路1/2VCC预充电技术。以读取0为例。 其中,水位的变化为:delta=5/2(1+Cb/Cs),水道(列地址线路)的电容量大于水库(行地址线路)的容量。具体过程远比这复杂,但是通过这种类比可以了解到工作原理,够用了。 哦,对了,差了忘记了,如果没有外界水道中的水来补充水库,那么水库中的水位由于蒸发、渗透,水量会慢慢减少,最后干涸。因此,原理图中电容也是一样,需要隔一段时间检测刷新,充电,这就是动态的根本原因。 2. SRAM贵、DRAM便宜之谜及差异对比 大家都知道,SRAM很贵,而DRAM相对便宜,所以DRAM得到了更大范围更大规模以及容量的应用。为什么价格差异这么大呢? (1)SRAM速度快但面积大,因此相对DRAM集成度低,功耗大,但速度快,同面积上可以制造很多DRAM但是只能有很少SRAM。所以注定SRAM不可以大容量储存,所以价格更贵; (2)SRAM晶体管很多,发热量大,也限制大面积。而DRAM则需要不停地刷新电路,否则内部的数据将会消失。同时,不停刷新电路的功耗是很高的,在我们的PC待机时消耗的电量有很大一部分都来自于对内存的刷新。 同时,早期还有一种DRAM的结构,大概如下图所示,如有兴趣可以试图考虑对比两种DRAM最小结构的优缺点。 |
今日新闻 |
点击排行 |
|
推荐新闻 |
图片新闻 |
|
专题文章 |
CopyRight 2018-2019 实验室设备网 版权所有 win10的实时保护怎么永久关闭 |