IBM推出全球首款2纳米制程芯片,每平方毫米3.3亿晶体管

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IBM推出全球首款2纳米制程芯片,每平方毫米3.3亿晶体管

2024-07-13 06:14:39| 来源: 网络整理| 查看: 265

  原标题:全球首款2纳米制程芯片问世:每平方毫米3.3亿晶体管,IBM打造

  来源:机器之心

  作为计算机芯片的最基础构建块,晶体管的体积变得越来越小,相应地芯片速度变得更快且更加节能。当前,7nm和5nm制程工艺是手机和笔记本电脑中所用芯片的主流选择。2021年3月,三星公布了全球首款3nm‘SRAM芯片’,并预计于2022年起量产。

  在各大芯片厂商‘你追我赶’的激励角逐中,IBM率先秀出了全球首个2nm芯片制造技术。

  5月6日晚间,IBM公布了其在半导体设计和工艺方面的一项重要突破:全球首款采用2nm制程工艺的芯片,有助于将半导体行业提升到一个新的水平。与当前主流的7nm芯片相比,IBM2nm芯片的性能预计提升45%,能耗降低75%。与当前领先的5nm芯片相比,2nm芯片的体积也更小,速度也更快。

IBM2nm制程工艺的芯片。

  具体来说,2nm芯片的潜在优势包括如下:

  手机续航时长翻两番,用户充一次电可以使用四天;

  大幅度减少数据中心的能源使用量;

  显著提升笔记本电脑的性能,比如更快运行应用程序、完成语言翻译和互联网访问;

  有助于自动驾驶汽车实现更快的目标检测和反应时间。

  从更具体的细节来看,IBM2nm芯片每平方毫米容纳3.33亿个晶体管,对比之下,台积电5nm芯片每平方毫米容纳1.713亿个晶体管,三星5nm芯片每平方毫米容纳1.27亿个晶体管。

近摄镜头下的2nm晶圆。

  作为曾经一家主要的芯片制造商,IBM现在将其芯片生产外包给了三星,但依然在纽约奥尔巴尼市保留了一家芯片制造研发中心。该中心主要负责芯片的测试运行,并与三星和英特尔签署联合技术开发协议,以使用IBM的芯片制造技术。此次公布的2nm芯片正是在这里设计和制造的。

IBM位于纽约奥尔巴尼市的芯片制造研发中心。

  更高的晶体管密度、全新架构设计

  与7纳米处理器相比,IBM推出的2nm芯片在相同功率下性能提升45%,能效则要高出75%。IBM指出,他们是第一个分别在2015年、2017年推出7nm、5nm的研究机构,后者已从FinFET升级为纳米片技术,从而可以更好地定制单个晶体管的电压特性。

  IBM表示,该技术可以将500亿个晶体管安装到一个指甲大小的芯片上,从而使处理器设计人员拥有更多选择,比如可以注入核心级创新来提高AI和云计算等前沿工作负载的功能,以及探寻硬件强制安全性和加密的新途径等。

  如你们时常从其他报道中所了解的,不同的芯片代工厂(台积电、三星等)对晶体管密度有不同的定义。值得注意的是,这些关于密度的数字通常被列为峰值密度。

StackedGAA(切入环绕式栅极技术,gate-all-around)

  关于新制程中如何制造晶体管的关键技术Gate-All-Around/nanosheet(环绕式栅极技术晶体管),虽然IBM还没有明确说明,但图片显示这款新的2nm处理器使用了three-stackGAA设计。

  在目前的新制程竞争中,三星计划在3nm节点上推出GAA(三星将自己的技术称为MBCFET)。其计划在2020年底即开始MBCFET的风险试产,2021年规模量产,同时在2021年推出第一代MBCFET的优化版本。台积电则仍希望在3nm上继续使用FinFET,等到2nm芯片才会推出GAA。根据规划,台积电的2nm工艺会在2023年开始风险试产,2024年量产。

  相比之下,可以预见英特尔将在其5nm工艺上引入某种形式的GAA。预计到2023年,这家公司会在5nm节点上放弃FinFET,转向GAA环绕栅极晶体管。

  正如目前大规模应用的FinFET工艺拯救了芯片产业,在5nm以下的时代,GAAFET或将成为半导体产业继续向前发展的关键。不过,GAAFET工艺的制造难度显然是极高的。

  IBM的3-stackGAA设计采用了75nm的单元高度,40nm的单元宽度,单个纳米片的高度为5nm,彼此之间间隔5nm。栅极间距为44nm,栅极长度为12nm。IBM表示,3-stackGAA是首个采用底部介电隔离通道的设计,这使得12nm栅长成为可能,并且其内部的间隔器采用第二代干式工艺设计,有助于纳米片的开发。

  在实施过程中,IBM还广泛地使用EUV技术,并包括在芯片过程的前端进行EUV图案化,而不仅是在中间和后端,后者目前已被广泛应用于7nm工艺。重要的是,IBM这个芯片上的所有关键功能都将使用EUV光刻技术进行蚀刻,IBM也已经弄清楚了如何使用单次曝光EUV来减少用于蚀刻芯片的光学掩模的数量。

  目前,还没有提供关于2nm测试芯片的细节,现阶段,它可能是一种简化的SRAM测试工具,逻辑不多。IBM表示,测试设计使用multi-Vt方案来进行高性能和高效率的应用演示。

  虽然2nm制程工艺的芯片在性能和能耗方面都较当前7nm和5nm更强,但很大程度上只是概念验证,离上市还有很长一段时间。在2015年7月,同样是IBM率先宣布制成了7nm芯片,而直到2019年下半年,人们才能买到带有7nm芯片的手机。

  据悉,2nm制程的技术大概需要几年的时间才能进入市场。



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