ROM（Read-Only memory）：只读存储器

特点：只读、数据断电不丢失、在工厂一次性烧录，不可修改，适用于工厂批量生产

PROM（Programmable Read-Only memory）：可编程只读存储器

特点：只读、数据断电不丢失，用户一次性写入程序，不可修改，成本较高且烧录速度慢，适用于少量需求或者批量生产前的验证

EPROM（Erasable Programmable Read-Only memory）：可擦除可编程只读存储器

特点：可读可写、数据断电不丢失，通过紫外线擦除

EEPROM指的是“电可擦除可编程只读存储器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。 它的最大优点是可直接用电信号擦除，也可用电信号写入。EEPROM不能取代RAM的原应是其工艺复杂， 耗费的门电路 过多，且重编程时间比较长，同时其有效重编程次数也比较低。

Flash memory指的是“闪存”，所谓“闪存”，它也是一种非易失性的内存，属于EEPROM的改进产品。它的最大 特点是必须按块(Block)擦除(每个区块的大小不定，不同厂家的产品有不同的规格)， 而EEPROM则可以一次只擦除一 个字节(Byte)。目前“闪存”被广泛用在PC机的主板上，用来保存BIOS程序，便于进行程序的升级。其另外一大应用 领域是用来作为硬盘的替代品，具有抗震、速度快、无噪声、耗电低的优点，但是将其用来取代RAM就显得不合适， 因为RAM需要能够按字节改写，而Flash ROM做不到。

狭义的EEPROM：

这种rom的特点是可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1。这是最传统的一种EEPROM，掉电后数据不丢失，可以保存100年，可以擦写100w次。具有较高的可靠性，但是电路复杂/成本也高。因此目前的EEPROM都是几十千字节到几百千字节的，绝少有超过512K的。

flash:

flash属于广义的EEPROM，因为它也是电擦除的rom。但是为了区别于一般的按字节为单位的擦写的EEPROM，我们都叫它flash。

flash做的改进就是擦除时不再以字节为单位，而是以块为单位，一次简化了电路，数据密度更高，降低了成本。

特点：可读可写、断电数据丢失，用来存储中间程序和数据

RAM(Random Access Memory): 随机存储，掉电不会保存数据,是与CPU直接交换数据的内部存储器，也叫主存(内存)。它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。

SRAM：（Static Random Access Memory） 它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。 缺点：集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，价格高，少量用于关键性系统以提高效率。

DRAM（Dynamic Random Access Memory）： 是最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。

SDRAM：（Synchronous Dynamic Random Access Memory): 同步是指Memory工作需要同步时钟，内部命令的发送与数据的传输都以时钟为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写。

FRAM:（Ferroelectric Random Access Memory): 将ROM的非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写以及低功耗等优势结合在一起。FRAM产品包括各种接口和多种密度，像工业标准的串行和并行口，工业标准的封装类型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。FRAM 提供一种与RAM一致的性能，但又有与ROM 一样的非易失性。FRAM 克服以上二种记忆体的缺陷并合并它们的优点，它是全新创造的产品，一个非易失性随机存取储存器。