在嵌入式开发中，大家都会涉及到操作内存，例如烧录程序、断电记忆读写FLASH、堆栈使用。本文主要讲解，这些常用的ROM RAM FLASH到底有什么区别，使用时需要注意些什么

ROM:只读内存，最早的PROM，只能编程一次，无法重复写入，所以较为只读内存，后面发展出紫外线照射下可写可擦的EPROM，但由于擦写麻烦又发展出了EEPROM，电可擦的ROM。

RAM:随机存储器，可按字节读写，读写速度块，但有缺点，掉电会丢失数据。

FLASH：可擦可写。断电不丢失数据；EEPROM的一种，操作的最小内存大小为扇区/block，不同厂商叫法不一致，又分为NAND FLASH,NOR FLASH。

为了更好的区分和使用这几种存储介质，可以看下图：

经过上述框图的分类，大家应该对这几种内存的基本特性有所了解，下面叙述下，实际工作中这些内存是如何使用以及注意事项。

ROM:嵌入式中常用的主控芯片，都带有片内ROM、RAM；有的芯片说自己片内FLASH多大，实际说的是nor flash，也是ROM的一种；ROM一般用于存储我们的boot、应用程序、OTA升级包、应用内存区（用于保存要断电记忆的数据）、加密区等等。

注意事项：FLASH由于本身存储介质的特性，在高低温下、电压不稳时、以及超过擦写寿命后，擦写FLASH会有可能发生擦写错误的情况；由于FLASH操作的最小单元为扇区，那出现过擦现象时，首先此扇区的数据会丢失，另外由于存储介质的冲击特性，发生过擦时可能会影响所操作的扇区的相邻一片内存也挂掉。

例如，设备程序和应用分区，在内存中相邻；设备在高温下擦写应用区数据，发生过擦现象导致设备程序的内存分区也挂掉，那么此时设备就会变砖头了，对于产品来说是无法忍受的，各大厂商对此，都会有一系列的防护措施，见仁见智，就不多说了。

RAM:我们程序所分配的堆、编译器自动使用的栈，都是在RAM内，同时设备启动后也会根据程序策略，按需将flash中的程序拷到RAM中运行，RAM的特点就是快；

注意：使用RAM遇到的问题多为内存泄漏和内存压缩的问题，需多考虑异常情况下内存的释放问题，但很多时候无法避免，只有在经过一轮轮测试，发现问题，解决问题。

NAND FLASH：常用的设备有固态硬盘、U盘、SD卡，特点是擦写较NOR FLASH快的多，寿命高，且存储密度高，缺点是发生比特翻转的概率比NOR FLASH大的多，多用于存储大容量的数据，对存储的策略依赖较强；比较烂的产品体现就是，U盘、固态用用速度越来越慢，再严重的直接读不出数据，变成砖头。