只读存储器（Read-Only Memory，简称ROM）是一种用于存储数据的非易失性存储设备。与其他存储介质不同，ROM的内容在制造过程中被预先编程，因此无法在使用过程中进行修改或擦除。ROM常用于存储计算机系统的启动程序、固件和其他需要保持不变的数据。由于其只读性和稳定性，ROM在各个领域中发挥着重要的作用，包括计算机科学、电子工程和信息技术等。

只读存储器（Read-Only Memory，简称ROM）是一种用于存储数据的存储介质。与其他存储设备不同，ROM的内容在制造过程中被预先编程，并且无法进行后续的可编程操作。这意味着ROM中的数据只能被读取而不能被修改或擦除。ROM常用于存储计算机系统的启动程序、固件和不需要频繁更改的数据。

ROM的工作原理基于半导体存储技术。常见的ROM芯片由一系列固定的存储单元组成，每个单元代表一个位（0或1）。这些存储单元通过使用不同的半导体结构实现了在制造过程中将数据编码进去的功能。当读取数据时，电流被传递到特定的存储单元，通过检测电压的变化来确定存储的数据值。

Mask ROM是最早也是最基本的ROM类型，它在制造过程中通过使用掩膜来编写数据，将数据直接编码到ROM芯片的物理结构中。这使得Mask ROM有着较高的稳定性和可靠性，但缺点是一旦数据被编程进去后就无法进行修改。

可编程只读存储器（Programmable Read-Only Memory，简称PROM）是一种用户可以自行编程的ROM。PROM使用特殊的编程设备，将数据编写到存储器中的可编程栅极中。一旦数据被编程进去后，就无法更改。PROM具有较低的制造成本和快速的编程速度，但缺点是一旦数据写入后无法修改。

可擦除可编程只读存储器（Erasable Programmable Read-Only Memory，简称EPROM）是一种可通过特定操作进行擦除和重新编程的ROM。EPROM使用紫外线辐射来擦除存储的数据，然后通过编程设备重新编写新的数据。EPROM具有可重复擦写的能力，但擦写过程需要额外的设备支持，且擦写时间较长。

电可擦可编程只读存储器（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，简称EEPROM）,EEPROM相比于EPROM具有更方便的擦写和编程方式。它使用电子信号来擦除存储的数据，而无需依赖紫外线辐射。通过在特定区域施加电压，可以将数据从存储单元中擦除，并且可以通过电编程器重新编写新的数据。EEPROM具有可重复擦写的能力，同时也提供了更灵活的数据更新和修改方式。

NOR闪存是一种常见的ROM类型，其名称来源于与传统的NOR逻辑门电路相似的结构。NOR闪存的存储单元布局允许通过地址直接访问每个存储单元，使得随机读取速度快。NOR闪存主要用于执行代码、存储固件和操作系统等需要快速访问的应用。

NAND闪存是另一种常见的ROM类型，其名称来源于与传统的NAND逻辑门电路相似的结构。与NOR闪存不同，NAND闪存采用了串行访问的方式，以提供更高的存储密度和更低的成本。NAND闪存主要用于大容量存储，如固态硬盘（SSD）和闪存卡。

ROM作为一种只读存储器，在计算机和电子设备中起着重要的作用。其只读性和持久性使得ROM成为存储关键数据、固化指令以及保护系统安全性的理想选择。不同类型的ROM根据制造工艺和芯片构造具有各自的特点和应用场景。