因为最近刚刚学习了MOS反向放大器小信号频率特性，我就想用Multisim测试验证一下。

下图是我要仿真的电路图，一个PMOS和NMOS组成的共源放大器。

然后，从Multisim里找MOS_P_4T和MOS_N_4T两个MOS管，两个MOS的参数如下：

 跨导参数等于2e-5，阈值电压为零，沟道长度调制一项为0，即不考虑沟道长度调制效应，那饱和区沟道电导就认为是0。因为PMOS是栅漏短接，VGS=VDS，如果Vthp=0，那么PMOS就处于临界饱和状态，所以我把它的阈值电压改为-1V（处于临界饱和不影响仿真结果，只是我不想让它处于临界饱和态