1、 输入特性曲线

在三极管共发射极联接的状况下，当集电极与发射极之间的电压UCE 坚持纷歧样的定值时，uBE和iB之间的一簇联络曲线，称为共射极输入特性曲线。一般状况下，当UCE≥1V时，集电结就处于反向偏置，此刻再增大UCE对iB的影响很小，也即UCE＞1V往后的输入特性与UCE＝1V的一条特性曲线重合，所以，半导体器材手册中一般只给出一条UCE≥1V时的输入特性曲线，如图所示。输入特性曲线的数学表达式为：iB＝f（uBE）| UCE = 常数

三极管的输入特性曲线与二极管的伏安特性曲线很类似，也存在一段死区，硅管的死区电压约为0.5V，锗管的死区电压约为0.2V。导通后，硅管的UBE约为0.7V，锗管的UBE约为0.3V。

2、输出特性曲线

输出特性是指以基极电流IB为常数，输出电压uCE和输出电流iC之间的联络，即：iC＝f（uCE）|IB =常数。关于纷歧样的IB，所得到的输出特性曲线也纷歧样，所以，三极管的输出特性曲线是一簇曲线。依据三极管的作业状况纷歧样，能够将输出特性分为三个区域，如图所示。

硅管的管压降为0.7V；锗管的管压降为0.3V。

（1）截止区：指IB=0的那条特性曲线以下的区域。在此区域里，三极管的发射结和集电结都处于反向偏置状况，三极管失掉了拓宽效果，集电极只需纤细的穿透电流ICEO。

（2）饱满区：指紫色区域。在此区域内，对应纷歧样IB值的输出特性曲线族简直重合在一同。也便是说，UCE较小时，IC尽管添加，但IC添加不大，即IB失掉了对IC的操控才调。这种状况，称为三极管的饱满。饱满时，三极管的发射结和集电结都处于正向偏置状况。三极管集电极与发射极间的电压称为集－射饱满压降，用UCES标明。UCES很小，一般中小功率硅管UCES＜0.5V。

紫色区域右边沿线称为临界饱满线，在此曲线上的每一点应有|UCE| = |UBE|。它是各特性曲线急剧拐弯点的连线。在临界饱满状况下的三极管，其集电极电流称为临界集电极电流，用Ics标明；其基极电流称为临界基极电流，用IBS标明。这时ICS＝βIBS 的联络依然树立。

（3）拓宽区：在截止区以上，介于饱满区与击穿区之间的区域为拓宽区。在此区域内，特性曲线近似于一簇平行等距的水平线，iC的改动量与iB的变量根柢坚持线性联络，即ΔiC=βΔiB，且ΔiC》》ΔiB ，便是说在此区域内，三极管具有电流拓宽效果。此外集电极电压对集电极电流的操控效果也很弱，当uCE＞1 V后，即便再添加uCE，iC简直不再添加，此刻，若IB不变，则三极管能够当作是一个恒流源。在拓宽区，三极管的发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置状况。