硬件开发 |
您所在的位置:网站首页 › mos管电阻分压 › 硬件开发 |
一、使用MOS管防反接的理由
电池供电产品中, 防止电池反接是必需考虑的. 最简单、最低成本的方案:在电源输入中串一个二极管。 但是,二极管有0.7V左右的压降, 3.3V过去后只有2.6左右了! 而且,这个0.7V的压降,本身是有功耗的,会增加电池的电量消耗,如果使用在7.4V左右的电压上,二极管本身的发热问题就比较严重. 实际产品中,更常见的是通过MOS管来进行电池防反接。 MOS管特性 = "0压降" + "大电流"。电压控制导通, 极少的电流损耗,几乎可以忽略。且负载电流比二极管更大。 下面是理解图例: 1:网上常见方案,是使用N-MOS管. 因为N管的可选型号、替换型号比P管的数量要多很多。 如常用的N管 si2302, 0.1元, 20V, 3A, 性能杠杠的! 工作在1A电流时 , 压降约0.05V。
2:更实用的方案,使用P-MOS管。 P管可以0V导通,N管的Vgs要大于阀值电压才能导通P管隔离的是正极,N管隔离的是负极通过上面两点得知,使用P管作防反接,效果比N管更好! 注意:在栅极串连一个10K电阻,防止在电源反防时,MOS管烧烟花。 下面这图,从魔女开发板中截取。增加两个元件,防止输入反接发生,保护了开发板、锂电池。 |
今日新闻 |
点击排行 |
|
推荐新闻 |
图片新闻 |
|
专题文章 |
CopyRight 2018-2019 实验室设备网 版权所有 win10的实时保护怎么永久关闭 |