MOS晶体管原理与特性 |
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MOS晶体管原理与特性
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MOS晶体管原理与特性
一、工作区域二、长沟道晶体管的I-V特性I-V特性表达式为I-V特性表现图为
三、非理想晶体管的I-V效应四、晶体管的C-V特性栅电容Cg覆盖电容Cgol扩散电容Csb、Cdb
一、工作区域
MOS管有三种状态工作区域：
截止区线性区饱和区
以nMOS管为例：(Vgs为栅极与源级间的电压，Vt为截止电压，Vgd为栅极与漏级间的电压，Vds为源级与漏级间的电压) 如果VgsVt时，晶体管为导通，并Vds较小，晶体管处于线性区，因为此时电流Ids与电压Vds成正比； 如果Vgs>Vt时，并Vds较大时，晶体管处于饱和区，因为此时电流Ids与电压Vds成无关； 例图如下： |
当Vgd=Vgs，即Vds=0时，源级与漏级两端的沟道厚度相同；当Vgs>Vgd>Vt，即0【本文地址】
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