STM32GO中Flash充当EEPROM的操作 |
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STM32GO中Flash充当EEPROM的操作
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STM32GO中Flash充当EEPROM的操作
之前在学校的时候一直使用的是STM32F1的芯片，本月找了一份工作，安排下来的任务是写一个传感器的程序，程序比较简单，主要分为了两个部分： - 在Flash中找一片区域充当EEPROM的功能，实现初始化数据的存储。 - 使用ADC和DAC功能来实现将输入的信号，按照要求重新规划到规定的电压区间，然后输出。 由于之前一直都是直接使用的外置EEPROM芯片，所以这一次是一个新的学习过程，所以记录一下，废话不多说，正文开始。 在编写过程中主要需要注意的有两点 选址 要想实现Flash当作EEPROM的使用，第一步只能是去翻看芯片手册中对于Flash部分的描述： 首先我们要做的就是要选择一个合适的地址范围，我用到型号是STM32GO81xx，Main memory共有128 kb，被划分为了64Page，每页大小有2K。为了好找，我选择的区域是最后一页，地址范围为： 0x0801 F800 - 0x0801 FFFF。 闪存的编程和擦除 通过手册中的描述，在芯片复位以后，Flash编程操作是被保护的，不能写入。通过写入特定的序列KEY、KEY2到FLASH_KEYR寄存器才可解除写保护，只有在写保护被解除后，我们才能操作相关的寄存器。 这个操作有官方库中的HAL_FLASH_Unlock()函数来实现，操作完成以后，FLASH_CR便被解锁了，如果写入错误，那么FLASH_CR将被锁定，知道下次复位才可以再次解锁。  而且从手册中我们可以看出，STM32G0的Flash的写入只支持双字写入：  还有一点需要注意的就是在往Flash写入数据以前需要检查该区域是否已经擦除，因为在对Flash进行编程的时候，必须要求其写入地址的Flash是被擦出的（也就是说其值必须是0xFFFFFFFF），否则无法写入，STM32G0擦除时有两种模式可以选择，批量擦除和页擦除，由于用到的只有最后一页，所以，这里我选择的是页擦除模式。
FLASH_EraseInitTypeDef FlashEraseInit;
FlashEraseInit.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_PAGES; //擦除类型，页擦除
FlashEraseInit.Page=63; //从哪页开始擦除
FlashEraseInit.NbPages=1; //一次只擦除一页
if(HAL_FLASHEx_Erase(&FlashEraseInit,&PageError)!=HAL_OK)
{
break;//发生错误了
}
主要的需要注意的讲完以后，我们就要开始正式编程了，标准的编程步骤如下： 解锁。确保要写入地址的Flash已经擦除完全。检查 FLASH_SR 中的 BSY 位，确保当前未执行任何 FLASH 操作。将 FLASH_CR 寄存器中的 PG 位置 1，激活 FLASH 编程.针对所需存储器地址（主存储器块或 OTP 区域内）执行数据写入操作.等待 BSY 位清零，完成一次编程.完整的Flash写入函数如下： u32 STMFLASH_ReadWord(u32 faddr) { return *(vu32*)faddr; } void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToWrite) { FLASH_EraseInitTypeDef FlashEraseInit; HAL_StatusTypeDef FlashStatus=HAL_OK; u32 PageError=0; u32 addrx=0; u32 endaddr=0; if(WriteAddr if(STMFLASH_ReadWord(addrx)!=0XFFFFFFFF) //有非0XFFFFFFFF的地方,要擦除这个扇区 { FlashEraseInit.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_PAGES; //擦除类型，页擦除 FlashEraseInit.Page=63; //从哪页开始擦除 FlashEraseInit.NbPages=1; //一次只擦除一页 if(HAL_FLASHEx_Erase(&FlashEraseInit,&PageError)!=HAL_OK) { break;//发生错误了 } }else addrx+=4; FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME); //等待上次操作完成 } } FlashStatus=FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME); //等待上次操作完成 if(FlashStatus==HAL_OK) { while(WriteAddr break; //写入异常 } WriteAddr+=8; pBuffer+=2; } } HAL_FLASH_Lock(); //上锁 } void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToRead) //连续读取 { u32 i; for(i=0;i int aa[4]={1,2,3,4}; HAL_Init(); SystemClock_Config(); STMFLASH_Write(STM32_EEPROM_BASE,(u32*)aa,sizeof(aa)/8); while(1) { } }通过Keil的调试功能可以看到数据已经写入进入，重新复位数据依然存在： 写在最后： 第一次写，存在很多的不足，主要是为了加深印象和给像我这样的小白一些参考，存在的不足也希望大家能够不吝赐教，谢谢！ |
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