10N65场效应管RS10N65D(参数 特点 规格书) |
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本MOS型号为RS10N65D,是瑞森采用先进的平面MOS技术制造的N-沟道场效应晶体管,通过优化芯片结构,使该产品拥有较强的抗冲击能力,超小内阻,结电容适中,散热性能好,高温漏电小,高温电压跌落小,广泛应用于开关电源,电源适配器、LED驱动等领域。 瑞森RS10N65D主要特点; VDS =650V,ID =10A RDS(ON) |
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