20N65场效应管参数|20N65(TO220,TO-3PN)规格书资料|壹芯微

产品类型 场效应管  产品型号 20N65  极性 NPN

漏源电压 650V  漏极电流 20A  封装 TO-220,ITO-220,ITO-220L,TO-3P,TO-3PN

20N65场效应管常用封装有:TO-220,TO-3PN

20N65(多封装)规格书 查看下载

参数资料:

20N65绝对最大额定参数:

漏源电压(VDS) 650(V)

栅源电压(VGS) ±30(V)

雪崩电流(IAR) *(A)

漏极电流-连续(ID) 20(A)

漏极电流-脉冲(IDM) 80(A)

单脉冲雪崩能量(EAS) 550(mJ)

重复雪崩能量(EAR) *(mJ)

二极管恢复峰值(dv/dt) *(V/ns)

功耗(TO-220/TO-3P)(PD) 250(W)

功耗(ITO-220/ITO-220-L)(PD) 80(W)

工作与贮存温度范围(TJ,TSTG) -55~+150(°С)

热阻-结到环境

(TO-220/ITO-220/ITO-220-L)(RθJA) 62.5(°C/W)

(TO-3P)(RθJA) 41.7(°C/W)

热阻-结到外壳

(TO-220/TO-3P)(RθJC) 0.5(°C/W)

(ITO-220F/ITO-220-L)(RθJC) 1.47(°C/W)

焊接的最高引线温度(TL) *(°С)

20N65各种封装外形尺寸:

壹芯微科技专业生产"二极管,三极管,场效应管,桥堆",20年丰富的生产经验,品质优秀,完美替代,专业生产管理团队与工程师严格管控品质,超过4800家电路电器生产企业选用合作,价格低于同行(20%),更具性价比,提供技术支持,售后FEA,如需了解产品详情,最新报价以及样品申请,欢迎咨询官网在线客服!

手机号/微信：13534146615

QQ：2881579535