IRF740供应商 IRF740技术参数信息 IRF740中文资料 KIA 官网

信息来源：本站　日期：2018-01-21　

新系列的低电荷PowerMOSFETIRF740LC则具有比传统MOSFETs明显更低的栅电荷。利用新型的LCDMOS技术，IRF740LC性能得到增强且无需增加额外的成本，简化了栅极动需求，从而节省了系统总体开销。此外，在大量的高频应用中，IRF740LC减少了转换损耗，效能得到强化。

TO-220封装的IRF740普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装，使IRF740得到业内的普遍认可。SMD-220封装的IRF740适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率最高，导通阻抗最低。IRF740的SMD-220封装可适应高强度电流的应用。

2、IRF740特征

动态dv/dt率

可恢复性雪崩测定

快速转换速率

并行简易

仅需简单驱动

超低栅电荷 - IRF740LC

增强VGS等级 30 V - IRF740LC

极高工作频率 - IRF740LC

无铅环保

3、产品参数

晶体管极性:N沟道

漏极电流, Id 最大值: 10A (at 25℃)

电压, Vgs 最大:20V

开态电阻, Rds(on): 典型值 0.48Ω

（Vgs=10V，Id=5.3A）

电压Vds 最高:400V

功耗:2.5W

功率温度:25°C

4、IRF730产品参考

PartNumbe

VDss(V)

ID（A）

MaxRDS(ON)

@60%ID(Ω)

Typical RD（ON）@60%ID（Ω）

IRF630

200

9.5

300

23.3

IRF024

60

14

0.10

25

IRF634

250

8.1

0.45

41

IRF830

500

4.5

1.5

38

IRF840

500

8.0

0.85

63

IRF7811

30

14

14

17

IRF530

100

14

0.16

26

IRF7413

30

13

11

44

联系方式：邹先生

联系电话：0755-83888366-8022

手机：18123972950

QQ：2880195519

联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1

请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号

请“关注”官方微信公众号:提供  MOS管  技术帮助

长按二维码识别关注

相关搜索：

10N60参数

75NF75参数参数

12N60价格

9N20场效应管中文资料

5N60参数

7N60中文资料

IRF640 640参数及代换

IRF730 730参数及代换

IRF3205参数及代换

CMD5950 5950

76A600V电压参数

50N06中文资料

8N60场效应管参数

13N50中文资料

20N50价格

47A 600V参数范围

100A 500V参数