对两款igbt进行比较，确定两者是否可以互换

A:

B:

一、

从电路图上分析，在启动的时候，电路会提供一个15v的电压，两者都能顺利导通，可以替换

二、 开关时间

从实际使用电路上分析，这些参数对于本电路的功能实现影响不大，可以替换

三、 igbt的电容特性

IGBT基础知识全集 - 知乎

手把手教你测IGBT内部电容

Cies(输入电容，输出短路）=Cge+Cgc;

Coss(输出电容，输入短路）=Cgc+Cec;

Cres(反向转移电容，即米勒电容）=Cgc，

输入电容。

输出短路（CE短接），输入电容Cies=CGC+CGE。

输出电容。

输入短路（GE短接），输出电容Coes=CGC+CEC。

米勒电容。

跨接在G、C之间的电容，叫米勒电容Cres，也叫反向传输电容。

IGBT开启过程中电容如何充电

第一阶段：施加的栅极电流对CGE充电，栅压VGE上升，至阈值电压VGE(th)。过程中集电极和发射极之间电压是无变化的，ICE为零。这段时间称为死区时间。

第二阶段：栅极电流对CGE和CGC充电，IGBT的集电极电流ICE开始增加，并达到最大负载电流IC，由于存在二极管的反向恢复电流，这个过程与MOSFET的开启有所不同。栅压VGE达到米勒平台电压。

第三阶段：栅极电流继续对CGE和CGC充电，此时栅压VGE保持不变，但是VCE开始快速下降。

第四阶段：栅极电流继续对CGE和CGC充电，VCE缓慢下降成稳态电压，米勒电容随着VCE的减小而增大。此时栅压VGE仍保持在米勒平台上。

第五阶段：栅极电流继续对CGE充电，栅压VGE开始增大，IGBT完全开启。

其中，第三、四阶段栅极出现一个恒定的电压，这种现象叫作米勒平台或米勒电压。这段时间，栅极的充电过程是由CGC决定的。VCE不断降低，电流IGC通过CGC给栅极放电，这部分电流需要驱动电流IDirver来补偿。

IGBT失效 都是变压器结电容惹的祸【钜大锂电】

随着人们对电源及电子设备的功能要求越来越高，为各种设备供应电源时要进行的改动就越来越多。IGBT就是其中一种，然而在实际的设计过程中，很多朋友经常会遇到IGBT莫名其妙失效的情况，为设计造成了不便。本文就将针对其中的一种情况，也就是变压器结电容相关于电压变化率过大，而导致的耦合电流干扰，最终使IGBT失效的情况进行分析，并帮助大家理清其中的原理。

IGBT的集电极电压变化率，取决于与门极间等效电容在驱动电流用途下对应的电压变化率。当IGBT门极电压变化到门极电流与工作电流相当的时刻，门极电压将不再变化。驱动器输出的电流将对门极和集电极之间的等效电容充放电，实现门极电位的变化。因此这个电位变化过程本身是对应于该条件下对电容的恒流充电过程，其开始和结束都是近似于阶跃性质的。因此，总体上该干扰电流的函数具有门函数的特点。

关于该干扰电流对电路系统影响的分析。应该采用类似小波变换的各类分析工具，从瞬时频谱分析的角度去识别那些携带能量较多的瞬时频率分量的特点。而不应该是采用基于傅氏变换的全时域分析。原因是这一类全时域分析的结果实质上是在瞬时频域分析结果的基础上，进一步在时间上求平均的结果。

这将导致信号实时特点的畸变和丢失。不能真实地反映问题。不管采用何种瞬时频率分析方法都将与宏观上的电流函数特点相接近。那就是重要的瞬时频率成分存在于门函数周期对应的频率点以上，且较为接近。同时由于上升下降沿的存在。在相对较高的频段也含有相当一部分分量。这就使该干扰电流的重要瞬时频率分量集中在低频和高频两大部分。

其中，低频部分的频率大致是对应IGBT上升下降时间所决定的电流持续时间。在数百纳秒至数微秒量级，大致对应1至10兆赫兹这一区间。而高频部分则是来自门函数的上升下降沿速率决定的频率。但这重要取决于耦合通路自身的频率特性。应该是明显高于低频部分的。进一步考虑到实际中杂散参量对该电流的低通能力。实际中的高频分量应该处于数百兆赫兹的水平。

而1至10兆赫兹又是一个比较敏感的频段。它是pcblayout中共点接地和多点接地的混叠区间。这意味着地线系统中感抗成分达到甚至超越阻抗成分成为重要因素。电流的分布路径变得更加复杂且相比较较集中。由于该频段下线路的感抗特点和阻抗特点都比较明显，但还没有高至杂散电容发挥用途，因此表现出的线路电抗值是比较大的。在相互连接的两点之间具备形成较大电压的条件。这部分的干扰电流虽然占据主体，能量很大。但是频段相对较低，重要的影响还是集中在信号收发端之间形成的地电势差上。这将导致数字信号电平判定阈值裕度的损失。使发生逻辑错误的概率提高。

数百兆赫兹的高频分量将表现出明显的高频电流特点。并且应该是高于或接近多数主控芯片的工作频率。大家了解，高频数字电路中去耦电容的谐振频率应该是以电路最高工作频率作为最佳点。而假如干扰电流的频率高于电路最高工作频率则很可能使去耦电容表现为感性。结果是在电流对电路整体补充电荷以达成电荷平衡(形成等势体)的过程中，会导致电源电压的较大波动(尤其是电路接地处理不良的时候)。从该电流的功率级别来讲，由于是来自IGBT的开关动作。因此具有电流源性质。其能量足以引发电源完整性问题。比如CMOS器件最危险的闩锁问题。其危害之大是可想而知的。

通过以上的内容可以看到，变压器结电容相关于电压变化率过大，确实会为IGBT带来较大的影响，尤其是对共地的电路系统的影响尤其大。在选择IGBT驱动器的时候，要根据系统的实际情况充分考虑该因素。关于控制电路复杂的系统要尤为注意。要说明的是。比较不同驱动器在这一方面的差异时，不能仅注意结电容的数值。要格外关注其变压器结构上的差异。当然关于成熟的驱动产品。相信不同级别的驱动器必然有不同级别的隔离能力。只要不出现小马拉大车的情况即可。但是关于自制的驱动产品就很有必要比较与同类成熟产品之间在变压器结构上的差异。比如绕组的间距，绕组投影面积，绕组结构等因素。以便实现比较可靠的自我评估。切不可仅仅以实测的电容值作为唯一比较参数。

本文对电子电路设计过程中IGBT失效分析情况进行了讲解，并通过不同的方面来对其中的原理进行分析，帮助大家理解其中的知识点，希望大家在阅读过本文之后能够有所收获。

电路杂谈——MOS管各引脚间结电容对电路的影响_mos管结电容_Super战的博客-CSDN博客

mos管反向传输电容 - 百度文库

反向传输电容，Crss 也称为镜像电容。

Crss 影响高频特性。Crss 越大，越出现以下特征:

米勒电容？密勒电容？

密勒电容(Miller Capacitance)就是跨接在放大器（放大工作的器件或者电路）的输出端与输入端之间的电容。密勒电容对于器件或者电路的频率特性的影响即称为密勒效应。

MOS管：臭名昭著的米勒效应 - 知乎

一个公式都没有 MOS米勒电容的通俗讲解_哔哩哔哩_bilibili

上b站上搜米勒效应或者Miller Capacitance有一大堆视频可以看 

米勒效应？

什么是米勒电容？如何理解米勒效应_电路图-面包板社区

MOS管米勒效应详解_米勒电容_ltqshs的博客-CSDN博客

什么是MOS管的米勒效应_哔哩哔哩_bilibili

寄生导通？

IGBT技术干货| IGBT门极驱动到底要不要负压？ - 知乎

IGBT寄生米勒效应电容问题产生原理和清除方法

IGBT寄生导通现象： IGBT半桥电路运作时的一个常见问题是因米勒电容引起的寄生导通问题，如下图所示。S2处于关断状态，S1开通时，S2两端会产生电压变化（dv/dt），将会形成因自身寄生米勒电容CCG所引发的电流，这个电流流过栅极电阻RG与驱动内部电阻，造成IGBT栅极到射极上的压降，如果这个电压超过IGBT的栅极临界电压，那么就可能造成S2的寄生导通，形成短路，引起电流击穿问题，进而可能导致IGBT损坏。

寄生导通的根本原因是集电极和栅极之间固有的米勒电容造成的，如果集电极与发射极之间存在高电压瞬变，由于驱动回路寄生电感，米勒电容分压器反应速度远远快于外围驱动电路。因此即使IGBT关断在0V栅极电压，dvce/dt将会造成栅极电压的上升，栅极电路的影响将被忽略。栅极发射极电压可由下式计算：

由上式可知，Cres/Cies的比例应该越小越好。为了避免栅极驱动的损耗，输入电容的值也应该越小越好。 因为米勒电容随着VCE的增大而减小，所以，随着集电极-发射极电压的增大，抑制dv/dt寄生导通的鲁棒性能也增加。

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开关损耗？

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