具有最佳粘附力的厚光刻胶

AZ ® 4500系列（AZ ® 4533和AZ ® 4562）是正性厚光刻胶，在普通湿法蚀刻和电镀工艺中具有优良的粘附性能：

l  优化对所有常见基材的附着力

l  宽广的工艺参数窗口，可实现稳定且可重复的光刻工艺

l  与所有常见的显影液兼容（基于KOH或TMAH）

l  与所有常见的去胶剂兼容（例如AZ100去胶剂、有机溶剂或碱性溶剂）

l  对g，h和i线敏感（约320-440 nm）

l  光刻胶厚度范围约 3-30微米

AZ ® 4500系列（AZ ® 4533和AZ ® 4562）的溶剂浓度不同，因此可达到的光刻胶膜厚有较大的范围：

光刻胶型号

光刻胶膜厚范围

包装规格

AZ ® 4533

转速为4000 rpm时，膜厚约为3.3 µm；通过改变转速，膜后可达2.5-5 µm。

多规格包装，如1L、2.5L等

AZ ® 4562

转速为4000 rpm时，膜厚约为3.3 µm；通过改变转速，膜后可达4.5-10 µm；调整旋转轮廓（中等旋涂速度下短时间旋涂），可达30 µm膜厚。

多规格包装，如1L、2.5L等

通常，AZ®4562可以用来涂覆厚度达30微米及以上。然而，在该厚度范围内，软烘烤、曝光、显影等变得非常耗时。此外，如果涂得太厚，AZ®4562也可能在曝光期间形成N2气泡。 因此，对于厚度大于30 µm的光刻胶膜厚度，强烈建议使用化学放大的AZ®40 XT光刻胶。

显影液——适用于AZ ® 4500光刻胶

如果可以使用含金属离子的显影液，可使用1：4稀释的KOH基AZ®400K作为显影液（对于更高的光刻胶膜厚度，可用1：3.5 - 1：1的稀释浓度）。

如果必须使用不含金属离子的显影液，我们建议使用基于TMAH基的AZ®326 MIF，AZ®726 MIF或AZ®826 MIF显影剂（未稀释）。

去胶剂——适用于AZ ® 4500光刻胶

对于非交联的光刻胶薄膜，可以使用AZ®100作为去胶剂，DMSO或其他常见的有机溶剂作为剥离剂。 如果光刻胶膜已交联（例如，在干法蚀刻等离子工艺或离子注入时，> 140°C的高温步骤时），我们建议使用不含NMP的TechniStrip P1316作为去胶剂。

AZ ® 4500系列（AZ ® 4533和AZ ® 4562）的溶剂浓度不同，因此可达到的光刻胶膜厚有较大的范围：

光刻胶型号

光刻胶膜厚范围

包装规格

AZ ® 4533

转速为4000 rpm时，膜厚约为3.3 µm；通过改变转速，膜后可达2.5-5 µm。

多规格包装，如1L、2.5L等

AZ ® 4562

转速为4000 rpm时，膜厚约为3.3 µm；通过改变转速，膜后可达4.5-10 µm；调整旋转轮廓（中等旋涂速度下短时间旋涂），可达30 µm膜厚。

多规格包装，如1L、2.5L等

AZ ® 4500系列（AZ ® 4533和AZ ® 4562）的溶剂浓度不同，因此可达到的光刻胶膜厚有较大的范围：

光刻胶型号

光刻胶膜厚范围

包装规格

AZ ® 4533

转速为4000 rpm时，膜厚约为3.3 µm；通过改变转速，膜后可达2.5-5 µm。

多规格包装，如1L、2.5L等

AZ ® 4562

转速为4000 rpm时，膜厚约为3.3 µm；通过改变转速，膜后可达4.5-10 µm；调整旋转轮廓（中等旋涂速度下短时间旋涂），可达30 µm膜厚。

多规格包装，如1L、2.5L等