本发明涉及剥离液，尤其是涉及一种水系剥离液及制备方法和应用。

背景技术：

1、剥离液作为显示面板制造中用量最大的湿电子化学品之一，在tp/tft-lcd/oled等显示面板制造有着重要应用，广泛应用于光伏太阳能、显示面板、半导体领域。剥离液通常用在蚀刻工艺完成之后，用于去除光刻胶和残留物质，同时防止对下层的衬底造成损坏。

2、剥离过程是通过剥离液和光刻胶的化学反应，使光刻胶膨胀、软化并溶解。现有剥离液主要有水系剥离液和有机剥离液。水系剥离液的主要成分包含有机试剂和纯水，不同药水中纯水所占比例有所不同，在水系剥离液和光刻胶反应过程中，一般制程温度在40到60度，纯水和有机物在使用过程中依然会有较大的挥发量，水系剥离液中各组分含量也对应产生变化影响剥离效果；以及产生有机蒸汽，影响作业安全。

3、有鉴于此，特提出本发明。

技术实现思路

1、本发明的目的之一在于提供一种水系剥离液，以缓解现有技术中水系剥离液在使用时成分不稳定影响剥离效果以及使用时产生有机蒸汽影响操作安全的技术问题。

2、本发明的目的之二在于提供一种水系剥离液的制备方法。

3、本发明的目的之三在于提供水系剥离液在半导体制造时去除光刻胶中的应用。

4、为了实现本发明的上述目的，特采用以下技术方案：

5、本发明第一方面提供了一种水系剥离液，包括偶联剂、纯水、极性增强剂、醇醚化合物、胺类化合物和腐蚀抑制剂。

6、进一步地，按重量份数计，包括偶联剂0.2份-0.45份、纯水25份-35份、极性增强剂25份-35份、醇醚化合物10份-15份、胺类化合物15份-25份和腐蚀抑制剂1份-5份。

7、进一步地，所述偶联剂包括环氧基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基三乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷和乙烯基三乙氧基硅烷中的至少一种。

8、进一步地，所述极性增强剂包括二甲替乙酰胺、4-甲基-2-戊酮、二甲基甲酰胺、二甲基亚砜和硝基甲烷中的至少一种。

9、进一步地，所述醇醚化合物包括三乙醇胺、二丙二醇甲醚醋酸酯、二丙二醇丁醚、苯甲醇和二乙二醇丁醚中的至少一种。

10、进一步地，所述胺类化合物包括二异丙胺、三亚乙基二胺、邻苯二甲酰亚胺、1,2-二甲基丙胺、n,n-二异丙基乙胺和异丙醇胺中的至少一种。

11、进一步地，所述腐蚀抑制剂包括邻苯二酚、苯骈三氮唑、巯基苯骈噻唑、咪唑和膦羧酸中的至少一种。

12、进一步地，所述偶联剂为环氧基三甲氧基硅烷和3-缩水甘油醚氧基丙基三乙氧基硅烷。

13、本发明的第二方面提供了所述的水系剥离液的制备方法，将所有原料混合均匀得到所述水系剥离液。

14、本发明的第三方面提供了所述的水系剥离液在半导体制造时去除光刻胶中的应用。

15、与现有技术相比，本发明至少具有如下有益效果：

16、本发明提供的水系剥离液，在体系中加入了偶联剂，有效降低了极性增强剂、醇醚化合物、胺类化合物和纯水的挥发，降低了制程中的作业风险，同时水系剥离液稳定性增强，保持了原始的剥离效果，增加了水系剥离液的使用寿命。在确保了水系剥离液的剥离效果后，水系剥离液在光刻胶去除过程中使用量会降低，同时污水的排放量也会降低，总体降低了制造成本和污水处理的成本。

17、本发明提供的制备方法工艺简单，机械化程度高，适合大规模工业化生产。

18、本发明提供的水系剥离液为半导体制造过程提供了更好的剥离液，使光刻胶去除完整，基本无残留，提高了半导体器件的精密度，促进了半导体制造业和下游产业的发展。

技术特征：

1.一种水系剥离液，其特征在于，包括偶联剂、纯水、极性增强剂、醇醚化合物、胺类化合物和腐蚀抑制剂。

2.根据权利要求1所述的水系剥离液，其特征在于，按重量份数计，包括偶联剂0.2份-0.45份、纯水25份-35份、极性增强剂25份-35份、醇醚化合物10份-15份、胺类化合物15份-25份和腐蚀抑制剂1份-5份。

3.根据权利要求1或2所述的水系剥离液，其特征在于，所述偶联剂包括环氧基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基三乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷和乙烯基三乙氧基硅烷中的至少一种。

4.根据权利要求1或2所述的水系剥离液，其特征在于，所述极性增强剂包括二甲替乙酰胺、4-甲基-2-戊酮、二甲基甲酰胺、二甲基亚砜和硝基甲烷中的至少一种。

5.根据权利要求1或2所述的水系剥离液，其特征在于，所述醇醚化合物包括三乙醇胺、二丙二醇甲醚醋酸酯、二丙二醇丁醚、苯甲醇和二乙二醇丁醚中的至少一种。

6.根据权利要求1或2所述的水系剥离液，其特征在于，所述胺类化合物包括二异丙胺、三亚乙基二胺、邻苯二甲酰亚胺、1,2-二甲基丙胺、n,n-二异丙基乙胺和异丙醇胺中的至少一种。

7.根据权利要求1或2所述的水系剥离液，其特征在于，所述腐蚀抑制剂包括邻苯二酚、苯骈三氮唑、巯基苯骈噻唑、咪唑和膦羧酸中的至少一种。

8.根据权利要求3所述的水系剥离液，其特征在于，所述偶联剂为环氧基三甲氧基硅烷和3-缩水甘油醚氧基丙基三乙氧基硅烷。

9.一种权利要求1-8任一项所述的水系剥离液的制备方法，其特征在于，将所有原料混合均匀得到所述水系剥离液。

10.一种权利要求1-8任一项所述的水系剥离液在半导体制造时去除光刻胶中的应用。

技术研发人员：伍红星,张念椿,张慕伸,郑鹤立,林瑞祥,王岳浩,何培浩,郑安丽受保护的技术使用者：西陇科学股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/13