11月4日，晶盛机电“年产25万片6英寸、5万片8英寸碳化硅衬底片项目”正式签约启动，此举旨在攻关半导体材料端关键核心技术，最终实现国产替代。

据悉，此次签约项目总投资达21.2亿元。据晶盛机电介绍，公司自2017年开始碳化硅晶体生长设备和工艺研发，相继成功开发6英寸、8英寸碳化硅晶体和衬底片，是国内为数不多能供应8英寸衬底片的企业。目前，公司已建设了6-8英寸碳化硅晶体生长、切片、抛光中试线，6英寸衬底片已通过多家下游企业验证，正处于快速上量阶段，8英寸衬底片处于小批量试制阶段。

碳化硅作为第三代半导体代表材料之一，因其优秀的物理特性，适用于新能源汽车、光伏储能、数据中心、5G通讯、特高压等应用场景，近年来相关需求持续走高，但由于成本问题，碳化硅的大规模商用化仍受阻碍。从成本结构来看，在碳化硅产业链中，衬底材料成本占据整体成本大概40%，成为降本关键环节，而大尺寸衬底因具有更高的有效利用率，帮助降低成本，近年来备受各大业内知名企业的重视。

例如，全球第三大硅晶圆制造商环球晶计划到2025年开始大规模生产先进类型的芯片衬底，以满足汽车行业对功率半导体不断增长的需求。环球晶董事长兼CEO徐秀兰近日表示，该公司将于明年开始8英寸碳化硅衬底的资格认证和测试生产，并于2025年开始大规模生产。

此外，天岳先进近日在回答投资者提问时表示，自2022年以来，公司加快上海临港新工厂产能建设，逐步加大导电型衬底产能产量，并于今年5月开启了产品交付，预计产能产量在2023年四季度仍将继续提升。目前，第一阶段30万片产能有望提前达产，第二阶段96万片产能规划也已启动。

尽管目前导电型碳化硅衬底产品仍然以6英寸为主，8英寸尚未普及，但早在2022年初，天岳先进就公布了自主扩径制备的高品质8英寸衬底，目前公司已经具备8英寸产品量产能力。

值得一提的是，在2023年Semicon论坛上，天岳先进CTO高超博士称，公司通过液相法制备出了低缺陷密度的8英寸晶体。（文章来源：化合物半导体市场）

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