Vasp学习经验 #3（电荷密度、态密度、哈密顿布居数）

20230809

完成体系的结构优化、验证结构稳定后，可进行电荷密度分布计算：

将上一步的CONTCAR转为POSCAR，修改INCAR：

修改IBRION=-1

修改NSW=0

增加LAECHG=.T.

提交任务，计算完成后可用结果文件绘制电荷密度图

其中，用VESTA打开CHGCAR文件，通过修改参数，可以绘制三维和二维电荷密度图。

用AECCAR0和AECCAR2可以计算体系的Bader电荷（体系整体具体有多少电子以及原子之间的电子转移）

Bader电荷计算：

需要两个脚本：

chgsum.pl，下载地址：SCRIPTS — Transition State Tools for VASP

bader，下载地址：http://theory.cm.utexas.edu/henkelman/code/bader/

上传超算，解压缩

tar zxvf bader_lnx_64.tar.gz 解压缩，之后运行chmod +x bader添加执行权限

chgsum.pl同上，没有布置路径，每次将两个文件（chgsum.pl、bader）复制到文件夹中使用：

计算完成后生成ACF.dat、BCF.dat。其中ACF.dat中就包含了价电子的电荷信息，在CHARGE列。如果要分析电荷转移情况，只需要用该原子的价电子与CHARGE列中对应的数值做差就是该原子的得失电子情况。

MIN DIST是原子离封闭曲面的距离，ATOMIC VOL是原子所在封闭曲面的体积

20230810

态密度计算：态度都计算要求先进行结构优化，再进行一次自洽计算，再继续一次非自洽计算，将计算完电荷密度的文件用于进行非自洽计算即可。（单独计算所需文件：静态自洽的CONTCAR，INCAR,KPOINTS,POTCAR,CHGCAR,提交脚本，WAVECAR(可加可不加，有的话会减少计算时间)）

修改INCAR：

修改标签ISTART=1 #读取波函数（0/1都可）

修改ICHARG=11 #读取电荷密度且保持不变

注释或去掉标签：LAECHG=.T.

修改标签ISMEAR=-5 #去除态密度拖尾效应

增加标签NEDOS=1000 #态密度取点数

增加标签LORBIT=10 #态密度投影10时投影到spdf轨道，11投影到px,py,pz等轨道上

提交计算，计算结果文在DOSCAR中。  

运行脚本文件split_dos处理结果文件

chmod +x bader

（采用ISMEAR=0,NEODOS=3000,产生的DOS曲线较为平滑，毛刺较少）

脚本计算产生的DOS0为TDOS，其他的DOS1-N里为争对各个原子的PDOS，用vaspkit-11-116产生的为不同元素的总LDOS。

230811

opt优化时注意材料的磁性，谨慎设置ISPIN数值，INSPIN设置不对对计算结果影响较大

态密度分析，总态密度可以分析材料的导电性（金属、导体、半导体），价带导带禁带宽度。

通常采用不同的结构对比来分析

分原子态密度通过选择需要分析的某个原子画图，可以分析不同原子之间的轨道杂化，以及根据不同结构分析体系的缺陷（对于半导体，N型缺陷和P型缺陷）

230814

哈密顿布居数计算：在结构优化的基础上进行移除对称性的自洽计算，然后再文件夹下通过LOBSTER进行计算COHP

INCAR修改：

增加标签NBANDS=1.2倍原NBANDS、增加标签ISYM=-1

修改标签IBRION=-1，修改标签NSW=0

原NBANDS可在普通自洽计算结果文件里的OUTCAR里查找（grep "NBANDS" OUTCAR）

提交任务进行自洽计算，