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單晶三軸磁場感測器专利检索

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一種磁力計(megnetometer),其包括:一基板,其具有一第一表面;第一複數個凸塊(bumps),其等佈置於該基板之該第一表面上,各凸塊包括相對於該基板第一表面之第一傾斜表面及第二傾斜表面;一第一惠斯登電橋電路(Wheatstone bridge circuit),佈置於跨(across)該第一複數個凸塊之該等凸塊之該等第一傾斜表面,及一第二惠斯登電橋電路,佈置於跨該第一複數個凸塊之該等凸塊之該等第二傾斜表面,其中在該第一複數個凸塊中之該等凸塊在一相同的第一軸對準,及其中在該第一複數個凸塊中之各凸塊包括來自在該對應第一傾斜表面上之該第一惠斯登電橋電路之一第一電阻性元件及來自在該對應第二傾斜表面上之該第二惠斯登電橋電路之一第一電阻性元件,且該第一惠斯登電橋電路中之該第一電阻性元件對應於該第二惠斯登電橋電路中之該第一電阻性元件。如請求項1之磁力計,其進一步包括:第二複數個凸塊,其等佈置於該基板之該第一表面上,各凸塊包括相對於該基板第一表面之第一傾斜表面及第二傾斜表面;一第三惠斯登電橋電路,其跨該第二複數個之該等凸塊之該等第一傾斜表面佈置;及一第四惠斯登電橋電路,其跨該第二複數個之該等凸塊之該等第二傾斜表面佈置,其中在該第二複數個凸塊中之該等凸塊與一相同的第二軸對準,及其中該第二軸正交於該第一軸。如請求項1之磁力計,其中該第一惠斯登電橋電路及該第二惠斯登電橋電路包括複數個各向異性磁阻(AMR)組件。如請求項2之磁力計,其中該第三惠斯登電橋電路及該第四惠斯登電橋電路之各者包括複數個各向異性磁阻(AMR)組件。如請求項4之磁力計,其中在該第二複數個凸塊中之各凸塊包括來自在該對應第一傾斜表面上之該第三惠斯登電橋電路之一各向異性磁阻(AMR)組件及來自在該對應第二傾斜表面上之該第四惠斯登電橋電路之一各向異性磁阻(AMR)組件。如請求項1之磁力計,其中該第一複數個凸塊之該第一傾斜表面及該第二傾斜表面相對於該基板第一表面成一相同的第一角度。如請求項2之磁力計,其中該第二複數個凸塊之該第一傾斜表面及該第二傾斜表面相對於該基板第一表面成一相同的第二角度。如請求項1之磁力計,其中各凸塊包括一梯形截面。如請求項1之磁力計,其中各凸塊包括一三角形截面。如請求項1之磁力計,其中:該第一複數個凸塊之該第一傾斜表面及該第二傾斜表面相對於該基板第一表面成一相同的第一角度,其中該第二複數個凸塊之該第一傾斜表面及該第二傾斜表面相對於該基板第一表面成一相同的第二角度,及其中該第一角度及該第二角度係相同的。如請求項1之磁力計,其進一步包括:一平面惠斯登電橋電路,其佈置於沿正交於該第一軸之一軸定向之該基板之該第一表面上。一種三軸磁力計,其包括:一基板,其具有一第一表面;一第一惠斯登電橋電路,其佈置於該基板上,其中該第一惠斯登電橋電路包括第一複數個各向異性磁阻(anisotropic magnetoresistive;AMR)組件,且其中該第一複數個各向異性磁阻(AMR)組件之各者經佈置相對於該第一表面成一第一角度;一第二惠斯登電橋電路,其佈置於該基板上,其中該第二惠斯登電橋電路包括第二複數個各向異性磁阻(AMR)組件,且其中該第二複數個各向異性磁阻(AMR)組件之各者經佈置相對於該第一表面成一第二角度;及一第三惠斯登電橋電路,其佈置於該基板之該第一表面上,其中該第一角度與該第二角度相等且彼此對稱,其中該三軸磁力計進一步包括:第一複數個凸塊,其等佈置於該基板之該第一表面上,各凸塊包括經佈置分別相對於該基板第一表面成該第一角度及該第二角度之第一傾斜表面及第二傾斜表面;其中該第一惠斯登電橋電路之該等各向異性磁阻(AMR)組件跨該第一複數個凸塊之該等第一傾斜表面佈置,其中該第二惠斯登電橋電路之該等各向異性磁阻(AMR)組件跨該第一複數個凸塊之該等第二傾斜表面佈置,其中在該第一複數個凸塊中之該等凸塊與一相同第一軸對準,其中在該第一複數個凸塊中之各凸塊包括來自在該對應第一傾斜表面上之該第一惠斯登電橋電路之一第一AMR組件及來自在該對應第二傾斜表面上之該第二惠斯登電橋電路之一第一AMR組件,且該第一惠斯登電橋電路中之該第一AMR組件對應於該第二惠斯登電橋電路中之該第一AMR組件,及其中該第三惠斯登電橋與正交於該第一軸之一第二軸對準。一種三軸磁力計,其包括:一基板,其具有一第一表面;一第一惠斯登電橋電路,其佈置於該基板上,其中該第一惠斯登電橋電路包括第一複數個各向異性磁阻(AMR)組件,且其中該第一複數個各向異性磁阻(AMR)組件之各者經佈置相對於該第一表面成一第一角度;一第二惠斯登電橋電路,其佈置於該基板上,其中該第二惠斯登電橋電路包括第二複數個各向異性磁阻(AMR)組件,且其中該第二複數個各向異性磁阻(AMR)組件之各者經佈置相對於該第一表面成一第二角度;一第三惠斯登電橋電路,其佈置於該基板上,其中該第三惠斯登電橋電路包括第三複數個各向異性磁阻(AMR)組件,且其中該第三複數個各向異性磁阻(AMR)組件之各者經佈置相對於該第一表面成一第三角度;及一第四惠斯登電橋電路,其佈置於該基板上,其中該第四惠斯登電橋電路包括第四複數個各向異性磁阻(AMR)組件,且其中該第四複數個各向異性磁阻(AMR)組件之各者經佈置相對於該第一表面成一第四角度,其中該第一角度與該第二角度相等且彼此對稱,及其中該第三角度與該第四角度相等且彼此對稱,且橫向於(transver to)該第一角度及該第二角度。如請求項13之三軸磁力計,其進一步包括:第一複數個凸塊,其等佈置於該基板之該第一表面上,各凸塊包括第一及第二傾斜表面,該等經佈置分別相對於該基板第一表面成該第一角度及成該第二角度;第二複數個凸塊,其等佈置於該基板之該第一表面上,各凸塊包括第三及第四傾斜表面,該等第三及第四傾斜表面經佈置分別相對於該基板第一表面成該第三角度及該第四角度;其中該第一惠斯登電橋電路之該等各向異性磁阻(AMR)組件經佈置跨該第一複數個凸塊之該等第一傾斜表面,其中該第二惠斯登電橋電路之該等各向異性磁阻(AMR)組件經佈置跨該第一複數個凸塊之該等第二傾斜表面,其中該第三惠斯登電橋電路之該等各向異性磁阻(AMR)組件經佈置跨該第二複數個凸塊之該等第三傾斜表面佈置,其中該第四惠斯登電橋電路之該等各向異性磁阻(AMR)組件經佈置跨該第二複數個凸塊之該等第四傾斜表面,其中該第一複數個凸塊中之各凸塊包括來自在該對應第一傾斜表面上之該第一惠斯登電橋電路之一第一AMR組件及來自在該對應第二傾斜表面上之該第二惠斯登電橋電路之一第一AMR組件,且該第一惠斯登電橋電路中之該第一AMR組件對應於該第二惠斯登電橋電路中之該第一AMR組件,其中該第二複數個凸塊中之各凸塊包括來自在該對應第一傾斜表面上之該第三惠斯登電橋電路之一第一AMR組件及來自在該對應第二傾斜表面上之該第四惠斯登電橋電路之一第一AMR組件,且該第三惠斯登電橋電路中之該第一AMR組件對應於該第四惠斯登電橋電路中之該第一AMR組件,其中在該第一複數個凸塊中之該等凸塊與一相同的第一軸對準,及其中在該第二複數個凸塊中之該等凸塊與正交於該第一軸之一相同的第二軸對準。



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