作为晶圆衬底，6英寸的碳化硅和12英寸的硅相比，哪个更好？为什么？

这玩意不分好坏，只不过应用场景不同而已。

第三代半导体材料是指以碳化硅(SiC)、 氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AIN) 为代表的宽禁带半导体材料，多在通信、新能源汽车、高铁、卫星通信、航空航天等场景中应用，其中碳化硅、氮化镓的研究和发展较为成熟。与前两代半导体材料相比，第三代半导体材料禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，因此，采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行，适用于高电压、高频率场景，此外，还能以较少的电能消耗，获得更高的运行能力。

另外你说的碳化硅为什么没有12英寸，你有没有考虑过不是不做，而是以现在的工艺根本做不出来。所以还是以6英寸为主，科锐公司倒是成功研发了8英寸。

目前主流的碳化硅晶圆生长法为PVT法，碳化硅单晶加工不仅要求晶片具备良好的几何形貌，如总厚度变化、翘曲度、变形，以及具备较高的晶片表面质量，如微粗糙度、划伤等，还要考虑单晶加工的效率和成本问题，这也就给碳化硅衬底制备提出很大的挑战。

采用PVT法生长碳化硅晶体的三个主要技术难点是:晶体杂质多、生长过程进程控制复杂以及制备完成后的后续工艺不健全。

其次，PVT法生长碳化硅晶体速度缓慢且条件苛刻。碳化硅生长进程控制复杂，碳化硅气相生长温度在2300℃以上，压力350MPa，而硅仅需1600℃左右。

此外，PVT法生长碳化硅的速度缓慢，7天才能生长2cm左右。

而硅棒拉晶2-3天即可拉出约2m 长的8英寸硅棒，是2米哦，对比碳化硅远超的不是一点半点。

不是大家不去做啊，而玩意工艺要求高，长的又慢，加工设备也不成熟。

有兴趣去看书吧，书里啥都讲过了。